[發(fā)明專利]平板顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010222035.1
• 申請(qǐng)日: 2010-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102043296A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李律圭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77;H01L27/32;G09F9/30
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強(qiáng)

相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)要求2009年10月21日遞交至韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2009-0100197的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的方面涉及平板顯示裝置及其制造方法，更具體地涉及能夠顯示圖像和平板顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

平板顯示裝置，例如使用液晶的電光特性的液晶顯示裝置和使用有機(jī)發(fā)光二極管的自發(fā)射特性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，被劃分為無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。包括薄膜晶體管的有源矩陣型具有極佳的分辨率和活動(dòng)畫面實(shí)現(xiàn)能力。因此，較之無(wú)源矩陣型，有源矩陣型經(jīng)常被使用。

有源矩陣型液晶顯示裝置(TFT-LCD)包括具有在兩個(gè)基板之間注入的液晶的顯示面板、用作位于顯示面板的后部的光源的背光燈，以及用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)。從背光燈產(chǎn)生的光入射到顯示面板上，受到根據(jù)驅(qū)動(dòng)IC所產(chǎn)生的信號(hào)而定向的液晶調(diào)制，然后被發(fā)射到顯示面板的外部，從而顯示字符或圖像。

發(fā)明內(nèi)容

一個(gè)方面在于一種具有提高的透光率的平板顯示裝置及其制造方法。

另一個(gè)方面在于一種平板顯示裝置，包括：第一基板；形成在所述第一基板上的薄膜晶體管(TFT)；形成在所述第一基板與所述TFT之間以與所述TFT垂直對(duì)應(yīng)的阻擋層；形成在具有所述TFT的所述第一基板上的平坦化層，所述平坦化層中具有形成于其中的通孔，使得TFT的源極或漏極通過(guò)所述通孔被暴露；形成在所述平坦化層上以被連接至所述源極或漏極的像素電極；與所述第一基板相對(duì)布置的第二基板；形成在所述第二基板上的共用電極；以及注入所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層。

再一方面在于一種平板顯示裝置，包括形成在第一基板上的TFT；形成在所述第一基板與所述TFT之間以與所述TFT垂直對(duì)應(yīng)的阻擋層；形成在具有所述TFT的所述第一基板上的平坦化層，所述平坦化層具有形成于其中的通孔，使得所述TFT的源極或漏極通過(guò)所述通孔被暴露；形成在所述平坦化層上以連接至所述源極或所述漏極的像素電極；形成在所述像素電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及形成在所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極電極。

又一方面在于制造平板顯示裝置的方法，該方法包括：提供具有像素區(qū)和元件形成區(qū)的基板；在具有所述像素區(qū)和所述元件形成區(qū)的所述基板上形成阻擋層；在所述元件形成區(qū)中、所述阻擋層上形成有源層；去除所述阻擋層中接觸所述有源層的側(cè)面的部分，使得所述阻擋層僅被布置在所述有源層之下；在具有所述有源層的所述基板上形成柵絕緣層；在所述有源層的上方、所述柵絕緣層上形成柵極；在具有所述柵極的所述柵絕緣層上形成層間電介質(zhì)層，然后暴露所述有源層的一部分；在所述層間電介質(zhì)層上形成連接至所述有源層的源極和漏極；在具有所述源極和所述漏極的所述層間電介質(zhì)層上形成平坦化層，然后暴露所述源極或漏極；以及在具有所述像素區(qū)的所述平坦化層上形成連接至所述源極或所述漏極的像素電極。

該方法可以進(jìn)一步包括在具有所述像素電極的所述平坦化層上形成像素限定層；對(duì)所述像素限定層進(jìn)行圖案化，以在發(fā)光區(qū)中暴露所述像素電極；在被暴露的像素電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極。

應(yīng)用于所述平板顯示裝置的TFT的有源層可以由諸如多晶硅之類的半導(dǎo)體形成。該半導(dǎo)體的導(dǎo)電率可以被從基板擴(kuò)散來(lái)的雜質(zhì)改變。阻擋層可以由無(wú)機(jī)材料在TFT之下形成。阻擋層可以不形成在透射光的像素區(qū)中，而僅形成在具有TFT的元件形成區(qū)中。另一方面在于一種平板顯示裝置，包括：第一基板；與所述第一基板相對(duì)布置的第二基板；形成在所述第一基板與所述第二基板之間的共用電極，其中所述共用電極離所述第二基板比離所述第一基板近；形成在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層；形成在所述第一基板與所述第二基板之間的薄膜晶體管(TFT)，其中所述TFT包括源極和漏極；形成在所述第一基板與所述TFT之間的阻擋層，其中所述阻擋層僅形成在所述TFT之下；形成在所述TFT上的平坦化層，其中在所述平坦化層中限定有通孔；以及形成在所述平坦化層上且通過(guò)所述通孔電連接至所述TFT的所述源極或所述漏極的像素電極。

在以上裝置中，所述阻擋層包括第一子阻擋層和形成在所述第一子阻擋層上的第二子阻擋層，并且其中所述第子一阻擋層比所述第二子阻擋層更薄且更靠近所述第一基板。在以上裝置中，所述第一子阻擋層由氧化硅形成，并且其中所述第二子阻擋層由氮化硅形成。