[發明專利]平板顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010222035.1
• 申請日: 2010-07-05
• 公開（公告）號: CN102043296A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 李律圭
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77;H01L27/32;G09F9/30
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強

1.一種平板顯示裝置，包括：

第一基板；

與所述第一基板相對布置的第二基板；

形成在所述第一基板與所述第二基板之間的共用電極，其中所述共用電極離所述第二基板比離所述第一基板近；

形成在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層；

形成在所述第一基板與所述第二基板之間的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括源極和漏極；

形成在所述第一基板與所述薄膜晶體管之間的阻擋層，其中所述阻擋層僅形成在所述薄膜晶體管之下；

形成在所述薄膜晶體管上的平坦化層，其中在所述平坦化層中限定有通孔；以及

形成在所述平坦化層上且通過所述通孔電連接至所述薄膜晶體管的所述源極或所述漏極的像素電極。

2.如權利要求1所述的平板顯示裝置，其中所述阻擋層包括第一子阻擋層和形成在所述第一子阻擋層上的第二子阻擋層，并且其中所述第一子阻擋層比所述第二子阻擋層更薄且更靠近所述第一基板。

3.如權利要求2所述的平板顯示裝置，其中所述第一子阻擋層由氧化硅形成，并且其中所述第二子阻擋層由氮化硅形成。

4.如權利要求1所述的平板顯示裝置，其中所述薄膜晶體管包括：

形成在所述阻擋層上的有源層，其中所述有源層包括源區、漏區和溝道區，并且其中所述阻擋層僅形成在所述有源層之下；

形成在所述有源層上的柵絕緣層；

形成在所述溝道區上方、所述柵絕緣層上的柵極；

形成在所述柵極和所述柵絕緣層上的層間電介質層，其中在所述層間電介質層中限定有接觸孔；以及

形成在所述層間電介質層上的所述源極和所述漏極，其中所述源極和所述漏極通過所述接觸孔電連接至所述有源層。

5.如權利要求4所述的平板顯示裝置，其中所述阻擋層形成在所述第一基板與所述有源層之間，并且與所述第一基板和所述有源層相接觸。

6.如權利要求4所述的平板顯示裝置，其中所述阻擋層形成在所述第一基板與所述有源層之間，并且與所述第一基板和所述有源層相接觸，其中所述阻擋層具有沿第一方向限定的第一寬度，并且其中所述有源層具有沿所述第一方向限定的第二寬度，并且其中所述第一寬度與所述第二寬度相同。

7.如權利要求1所述的平板顯示裝置，其中所述有源層由多晶硅形成。

8.如權利要求1所述的平板顯示裝置，進一步包括在所述第一基板之上以矩陣形式排列的柵線和數據線，其中所述柵線和所述數據線電連接至所述薄膜晶體管。

9.一種平板顯示裝置，包括：

基板，其中像素區和元件形成區形成在所述基板中和所述基板之上，并且其中所述像素區被配置為發光；

形成在所述基板之上的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括源極和漏極；

形成在所述基板與所述薄膜晶體管之間的第一阻擋層，其中所述第一阻擋層不形成在所述像素區中；

形成在所述薄膜晶體管上的平坦化層，其中在所述平坦化層中限定有通孔；

形成在所述平坦化層上且通過所述通孔電連接至所述薄膜晶體管的所述源極或所述漏極的像素電極；

形成在所述像素電極上的有機發光層；以及

形成在所述有機發光層上的陰極。

10.如權利要求9所述的平板顯示裝置，其中所述第一阻擋層包括氧化硅層和形成在所述氧化硅層上的氮化硅層，并且其中所述氧化硅層比所述氮化硅層更靠近所述基板。

11.如權利要求9所述的平板顯示裝置，其中所述薄膜晶體管包括：

形成在所述第一阻擋層上的有源層，其中所述有源層包括源區、漏區和溝道區，并且其中所述第一阻擋層僅形成在所述有源層之下；

形成在所述有源層上的柵絕緣層；

形成在所述溝道區中、所述柵絕緣層上的柵極；

形成在所述柵極和所述柵絕緣層上的層間電介質層，其中在所述層間電介質層中限定有接觸孔；以及

形成在所述層間電介質層上且通過所述接觸孔在所述源區和所述漏區中電連接至所述有源層的所述源極和所述漏極。

12.如權利要求11所述的平板顯示裝置，其中所述第一阻擋層形成在所述基板與所述有源層之間，其中所述第一阻擋層具有沿第一方向限定的第一寬度，其中所述有源層具有沿所述第一方向限定的第二寬度，并且其中所述第一寬度與所述第二寬度相同。