[發(fā)明專利]多指條形GGNMOS、靜電保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010221840.2
• 申請日: 2010-06-29
• 公開（公告）號: CN102315217A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單毅;陳曉杰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/06;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種多指條形GGNMOS，其特征在于，包括：

P型半導(dǎo)體襯底，包括器件區(qū)；

形成于器件區(qū)內(nèi)的至少兩個(gè)NMOS晶體管；

位于相鄰NMOS晶體管的漏極之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的N型連接阱，且所述N型連接阱與其兩側(cè)的漏極連接；

所述N型連接阱的表面區(qū)域內(nèi)形成有N型連接區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的多指條形GGNMOS，其特征在于，所述N型連接阱兩側(cè)的漏極延伸至N型連接阱內(nèi)，與N型連接阱部分重疊。

3.如權(quán)利要求2所述的多指條形GGNMOS，其特征在于，所述N型連接區(qū)與兩側(cè)漏極之間的N型連接阱表面分別形成有偽柵。

4.如權(quán)利要求1所述的多指條形GGNMOS，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底還包括與器件區(qū)相鄰的互連區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的多指條形GGNMOS，其特征在于，所述N型連接區(qū)與靠近互連區(qū)的NMOS晶體管的漏極的距離大于與遠(yuǎn)離于互連區(qū)的NMOS晶體管的漏極的距離。

6.如權(quán)利要求1所述的多指條形GGNMOS，其特征在于，所述相鄰的NMOS晶體管關(guān)于N型連接阱對稱，且規(guī)格相同。

7.如權(quán)利要求4所述的多指條形GGNMOS，其特征在于，所述互連區(qū)以及各NMOS晶體管的柵極、源極均接地，所述N型連接區(qū)接外部電路。

8.一種靜電保護(hù)電路，包括輸入端、接地端以及至少兩個(gè)位于同一襯底的GGNMOS；其特征在于，

所述襯底以及GGNMOS的源極、柵極均連接至接地端；

所述GGNMOS的漏極分別通過不同的分壓電阻連接至輸入端；

所述分壓電阻為權(quán)利要求1所述N型連接阱內(nèi)N型連接區(qū)與兩側(cè)漏極之間的寄生內(nèi)阻。

9.如權(quán)利要求8所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，所述GGNMOS的規(guī)格相同。