[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201010221417.2
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102194874A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 朱鳴;張立偉;莊學理
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體裝置，包括：

一晶體管，包括：

一源極區、一漏極區及設置于該源極區與該漏極區之間的一溝道區；

一第一柵極，設置于該溝道區之上；以及

多個第二柵極，設置于該漏極區之上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該漏極區包括一輕度摻雜漏極區與一重度摻雜漏極區，而所述多個第二柵極設置于該輕度摻雜漏極區之上，而該重度摻雜漏極區具有一硅化物層設置于其上。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一柵極具有一第一柵極長度，而其中該第二柵極分別具有少于該第一柵極長度的一第二柵極長度。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該漏極區包括多個輕度摻雜漏極區以及多個重度摻雜漏極區，所述多個輕度摻雜區插入于所述多個重度摻雜漏極區之間，所述多個第二柵極分別設置于所述多個輕度摻雜漏極區的上，而所述多個重度摻雜漏極區分別具有一硅化物層設置于其上。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一柵極包括一第一柵介電層與一第一柵電極，而該第二柵極包括一第二柵介電層與一第二柵電極，且其中：

該第一柵介電層包括一高介電常數材料；

該第一柵電極包括第一型的一金屬柵電極；

該第二柵電極包括一氧化物材料與一高介電常數材料其中之一；以及

該第二柵電極包括具有相反于該第一型的第二型的多晶硅柵電極與金屬柵電極其中之一。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述多個第二柵極分別與相鄰的該第二柵極相隔一距離，其中該第二柵極包括具有一材料組成的一功函數金屬柵電極，且其中該漏極區具有相關于該距離與該功函數金屬柵電極的該材料成分其中之一的一電阻。

7.一種半導體裝置，包括：

一晶體管，包括：

一源極區、一漏極區及設置于該源極區與該漏極區之間的一溝道區；

一功能性柵極，設置于該溝道區之上，該功能性柵極具有一第一柵極長度；以及

一假柵極，設置于該漏極區之上，該假柵極具有少于該第一柵極長度的一第二柵極長度。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中：

該源極區包括一輕度摻雜源極區與一重度摻雜源極區；

該漏極區包括一輕度摻雜漏極區與一重度摻雜源極區，該假柵極設置于該輕度摻雜漏極區之上；

該功能性柵極具有第一型的一金屬電極；以及

該假電極具有相反于該第一型的第二型的多晶硅柵電極與金屬柵電極其中之一。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，其中該假電極包括一金屬柵電極，且其中該漏極區具有相關于該金屬柵電極的一材料組成的一電阻。

10.一種半導體裝置的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一第一柵極與多個第二柵極于該基板上；以及

形成一源極區與一漏極區于該基板內，該源極區與該漏極區為用于定義一溝道區的一間隙所分隔，

其中形成該源極區與該漏極區依照為了使該第一柵極設置于該溝道區之上及使所述多個第二柵極設置于該漏極區之上的一方式而完成。