[發明專利]頂針及具有該頂針的等離子體刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201010219614.0
• 申請日: 2010-06-25
• 公開（公告）號: CN102299090A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 李俊杰
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種頂針，其特征在于，包括韌性針體，且所述頂針至少在前端具有耐腐蝕表面。

2.根據權利要求1所述的頂針，其特征在于，所述韌性針體至少在前端的表面具有耐腐蝕層，所述耐腐蝕層構成所述頂針前端的耐腐蝕表面。

3.根據權利要求2所述的頂針，其特征在于，所述針體前端1/10的部分的表面具有所述耐腐蝕層。

4.根據權利要求2所述的頂針，其特征在于，所述針體前端1/3的部分的表面具有所述耐腐蝕層。

5.根據權利要求2所述的頂針，其特征在于，所述耐腐蝕層為陶瓷層。

6.根據權利要求5所述的頂針，其特征在于，所述陶瓷層厚度為50μm～100μm。

7.根據權利要求1所述的頂針，其特征在于，所述頂針還包括耐腐蝕針體，所述耐腐蝕針體連接在所述韌性針體的前端，所述耐腐蝕針體的表面構成所述頂針前端的耐腐蝕表面。

8.根據權利要求1至7中任意一項所述的頂針，其特征在于，所述韌性針體為形狀記憶合金材料的針體。

9.根據權利要求8所述的頂針，其特征在于，所述形狀記憶合金材料為鐵-錳-硅合金、銅-鋅-鋁合金、鎳-鋁合金、鎳-合金中的至少一種。

10.一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于，包括權利要求1至9中任意一項所述的頂針，所述頂針用于將刻蝕基底托起。