[發(fā)明專利]頂針及具有該頂針的等離子體刻蝕裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010219614.0 | 申請日: | 2010-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN102299090A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李俊杰 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100026 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 頂針 具有 等離子體 刻蝕 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種頂針及具有該頂針的等離子體刻蝕裝置,尤其涉及用于半導體工藝中的頂針及等離子體刻蝕裝置。
背景技術(shù)
在集成電路制造過程中,需要在晶片上形成微細尺寸的圖形(pattern),等離子體刻蝕是產(chǎn)生圖形的一種重要方法。在現(xiàn)有的等離子體刻蝕設(shè)備中,如圖1所示,刻蝕進行時被加工的晶片3被吸附在靜電卡盤2上;而當要將晶片3傳入或傳出加工腔室7時,如圖2和圖3所示,升降裝置6使四根穿過靜電卡盤2的頂針1上升(升針),從而將晶片3水平托起,以便機械手取放晶片3。在工作一定時間后,等離子體刻蝕設(shè)備的腔室7需進行等離子體刻蝕清洗,此時各頂針1處于下降(降針)位置,因靜電卡盤2上不設(shè)置晶片,故各頂針1的前端暴露在清洗用的等離子體中。
顯然,上述頂針應(yīng)具有良好的韌性,以防其在裝配和使用過程中被折斷或損壞;且頂針還需要有良好的耐腐蝕性,否則會在清洗工藝中被逐漸腐蝕耗損,造成各頂針的長度不同,影響晶片水平度,產(chǎn)生晶片側(cè)滑。現(xiàn)有的頂針主要有兩種,一種由樹脂材料制造,其韌性較好,但耐腐蝕性不足;另一種由陶瓷材料制造,其耐腐蝕,但韌性較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種頂針,其兼具良好的韌性和耐腐蝕性。
為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
一種頂針,包括韌性針體,且所述頂針至少在前端具有耐腐蝕表面。
由于本發(fā)明的實施例的頂針具有韌性針體,且頂針前端的表面耐腐蝕,故該頂針兼具良好的韌性和耐腐蝕性。
本發(fā)明的實施例提供一種等離子體刻蝕裝置,其中的頂針兼具良好的韌性和耐腐蝕性。
為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
一種等離子體刻蝕裝置,包括上述頂針,所述頂針用于將刻蝕基底托起。
由于本發(fā)明的實施例的等離子體刻蝕裝置包括上述頂針,故其中的頂針兼具良好的韌性和耐腐蝕性。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為現(xiàn)有的等離子體刻蝕裝置降針時的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為現(xiàn)有的等離子體刻蝕裝置升針時的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為現(xiàn)有的等離子體刻蝕裝置升針時靜電卡盤處的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例一的頂針的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本發(fā)明實施例的另一種頂針的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本發(fā)明實施例的另一種頂針的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7為本發(fā)明實施例的另一種頂針的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8為本發(fā)明實施例二的頂針的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖9為本發(fā)明實施例三的等離子體刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
本發(fā)明實施例提供一種頂針,包括韌性針體,且所述頂針至少在前端具有耐腐蝕表面。
由于本發(fā)明的實施例的頂針具有韌性針體,且頂針前端的表面耐腐蝕,故該頂針兼具良好的韌性和耐腐蝕性。
實施例一
本發(fā)明實施例提供一種頂針,其包括長形的韌性針體4,該針體4直徑為1~3mm,長度為40~100mm;韌性針體4由具有良好韌性的材料制造,例如Fe-Mn-Si合金、Cu-Zn-Al合金、Ni-Al合金、Ni-Ti合金等形狀記憶合金材料;也可為其它金屬材料;也可為樹脂材料等。顯然,該韌性針體4可通過任何公知的方法制造,例如可直接澆鑄得到金屬或合金的針體4;也可直接注塑成型得到樹脂針體4;也可先制造針體的坯料后再通過機械加工的方法得到針體4。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





