[發明專利]一種形成溝槽式MOSFET溝槽底部厚氧的方法

無效

• 申請號: 201010218619.1
• 申請日: 2010-07-06
• 公開（公告）號: CN102013394A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 李鐵生
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌;徐宏

1.一種形成溝槽式MOSFET溝槽底部厚氧的方法，包括：

在半導體襯底內形成溝槽；

使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝，在半導體襯底上表面、溝槽內和溝槽側壁生成二氧化硅；

去除半導體襯底上表面的二氧化硅；以及

去除溝槽側壁的二氧化硅。

2.?如權利要求1所述方法，其特征在于，所述去除溝槽側壁的二氧化硅與所述去除襯底上表面的二氧化硅在同一步驟中進行。

3.?如權利要求1所述方法，其特征在于，所述去除襯底上表面的二氧化硅使用化學機械拋光工藝。

4.?如權利要求1所述方法，其特征在于，所述半導體襯底包括n?型襯底和形成于所述n?型襯底上的n型外延層，其中，所述n型外延層包含p型注入層。

5.?如權利要求1所述方法，其特征在于，在所述溝槽中填充二氧化硅。

6.?如權利要求3所述方法，其特征在于，還包括在高密度等離子體化學氣相沉積工藝之前在半導體襯底上形成氮化層，所述氮化層作為化學機械拋光工藝的停止層。

7.?如權利要求1所述方法，其特征在于，還包括，使用熱氧化工藝在溝槽側壁形成柵氧化層。

8.?如權利要求1所述方法，其特征在于，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝發生于300攝氏度以下。

9.?如權利要求1所述方法，其特征在于，所述去除溝槽側壁的二氧化硅使用各向同性濕法刻蝕工藝。

10.?一MOSFET溝槽，溝槽內有底部厚氧，所述MOSFET溝槽包括：?

溝槽，所述溝槽位于半導體襯底內;?以及

底部厚氧，位于溝槽底部，所述底部厚氧使用下述方法形成：?

使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝，在半導體襯底上表面、溝槽內和溝槽側壁生成二氧化硅；

去除半導體襯底上表面的二氧化硅；以及

去除溝槽側壁的二氧化硅。

11.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，所述去除溝槽側壁的二氧化硅與所述去除襯底上表面的二氧化硅在同一步驟中進行。

12.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，所述去除襯底上表面的二氧化硅使用化學機械拋光工藝。

13.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，所述半導體襯底包括n?型襯底和形成于所述n?型襯底上的n型外延層，其中，所述n型外延層包含p型注入層。

14.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，所述溝槽中填充二氧化硅。

15.?如權利要求12所述MOSFET溝槽，其特征在于，還包括一氮化層，所述氮化層形成于使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝之前，所述氮化層作為化學機械拋光工藝的停止層。

16.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，還包括，使用熱氧化工藝在溝槽側壁形成柵氧化層。

17.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝發生于300攝氏度以下。

18.?如權利要求10所述MOSFET溝槽，其特征在于，所述去除溝槽側壁的二氧化硅使用各向同性濕法刻蝕工藝。

19.?一種形成溝槽式MOSFET溝槽底部厚氧的方法，包括：

在硅襯底上形成外延層，所述外延層與所述硅襯底具有相同導電類型；

在所述外延層上形成硬掩膜，使用所述硬掩膜定義溝槽區域；

通過選擇性地刻蝕所述外延層和使用所述硬掩膜，在所述外延層內形成溝槽；

使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝，在半導體襯底上表面、溝槽內和溝槽側壁生成二氧化硅；

去除襯底上表面的二氧化硅；以及

去除溝槽側壁的二氧化硅。

20.?如權利要求19所述方法，其特征在于，所述去除溝槽側壁的二氧化硅與所述去除襯底上表面的二氧化硅在同一步驟中進行。

21.?如權利要求19所述方法，其特征在于，所述去除襯底上表面的二氧化硅使用化學機械拋光工藝。