[發明專利]半導體器件處理方法

無效

• 申請號: 201010218315.5
• 申請日: 2010-06-28
• 公開（公告）號: CN101958247A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 浜中信秋;笠間佳子
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在覆蓋基板的絕緣膜上形成掩模；

從所述絕緣膜的第一區域去除所述掩模，同時在所述絕緣膜的第二區域中留下所述掩模；

在所述掩模遮蔽所述第二區域的同時使所述第一區域暴露到等離子體，以便通過隨后的處理使所述第一區域更易于去除；

從所述第二區域去除所述掩模膜；

在所述第一區域和第二區域的每個中，形成至少一個金屬互連；以及

選擇性去除所述第一區域，以形成與所述第一區域中形成的金屬互連相鄰的空氣空隙，同時保留所述第二區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述選擇性去除步驟包括：

在所述絕緣膜上形成擴散防止膜；

在覆蓋所述第一區域的所述擴散防止膜的一部分中形成開口，以暴露所述第一區域；以及

通過蝕刻來去除暴露的第一區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述擴散防止膜是SiCN膜或SiC膜。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，暴露所述絕緣膜，使得所述開口的外周與所述第一區域和第二區域之間的邊界之間的距離為0.5μm至1.0μm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體是從選自由銨、氦、氖和氬組成的組中的氣體來產生。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，使用包含氫氟酸或氫氟酸的鹽的蝕刻溶液來選擇性地去除所述第一區域。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述絕緣膜包括Si-O鍵和Si-C鍵。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括步驟：

在所述絕緣膜上形成互連層；以及

在所述互連層的上部區域中形成電極焊盤。