[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法及設(shè)備

無效

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• 申請日: 2010-06-28
• 公開（公告）號: CN101986422A
• 公開（公告）日: 2011-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋信明;小室雅宏
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

使用化學(xué)鍍方法在半導(dǎo)體襯底上形成多個金屬膜的層疊結(jié)構(gòu)，

其中所述形成金屬膜包括：

使用第一鍍槽進行包括還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝；和

使用第二鍍槽進行僅通過置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝，

所述使用所述第一鍍槽進行的包括所述還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝是在遮光環(huán)境中進行的，以及

所述使用所述第二鍍槽僅通過所述置換反應(yīng)進行的化學(xué)鍍工藝是在非遮光環(huán)境中進行的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在所述第一鍍槽中使用的鍍液包括還原劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述形成金屬膜進一步包括使用第三鍍槽進行僅通過置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝，并且

所述使用所述第三鍍槽僅通過所述置換反應(yīng)進行的化學(xué)鍍工藝是在所述非遮光環(huán)境中進行的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中，在所述使用所述第一鍍槽進行包括所述還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成Ni膜或包括Ni的金屬膜，

在所述使用所述第二鍍槽進行僅通過所述置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成Pd膜或包括Pd的金屬膜，

在所述使用所述第三鍍槽進行僅通過所述置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成Au膜，以及

按此順序形成所述Ni膜或所述包括Ni的金屬膜、所述Pd膜或所述包括Pd的金屬膜、和所述Au膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在所述第一鍍槽中使用的鍍液包括還原劑，

在所述第二鍍槽中使用的鍍液包括還原劑，以及

在所述第三鍍槽中使用的鍍液不包括還原劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述形成金屬膜進一步包括使用第四鍍槽進行包括還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝，以及

所述使用所述第四鍍槽進行的包括所述還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝是在遮光環(huán)境中進行的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在所述金屬膜上進行使用所述第四鍍槽進行的包括所述還原反應(yīng)的所述化學(xué)鍍工藝，所述金屬膜是通過使用所述第三鍍槽僅通過所述置換反應(yīng)進行的所述化學(xué)鍍工藝形成的，以及

在所述使用所述第四鍍槽進行包括所述還原反應(yīng)的所述化學(xué)鍍工藝中，金屬膜由與通過使用所述第三鍍槽僅通過置換反應(yīng)進行的所述化學(xué)鍍工藝形成的所述金屬膜的材料相同的材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在所述第四鍍槽中使用的鍍液包括還原劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中，在所述使用所述第一鍍槽進行包括所述還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成Ni膜或包括Ni的金屬膜，

在所述使用所述第二鍍槽進行僅通過所述置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成Pd膜或包括Pd的金屬膜，

在所述使用所述第三鍍槽進行僅通過所述置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成第一Au膜，

在所述使用所述第四鍍槽進行包括所述還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝中，形成第二Au膜，以及

按此順序形成所述Ni膜或所述包括Ni的金屬膜、所述Pd膜或所述包括Pd的金屬膜、所述第一Au膜和所述第二Au膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述金屬膜形成在形成于所述半導(dǎo)體襯底上的電極上，以及

所述電極是由Cu、包括Cu的金屬材料、Al、包括Al的金屬材料、W、包括W的金屬材料、Ag和包括Ag的金屬材料中的至少一種制成的金屬層或金屬膜的層疊結(jié)構(gòu)。

11.一種半導(dǎo)體器件制造設(shè)備，其使用化學(xué)鍍方法在半導(dǎo)體襯底上形成多個金屬膜的層疊結(jié)構(gòu)，該設(shè)備包括：

第一鍍槽，所述第一鍍槽在遮光環(huán)境中進行包括還原反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝；和

第二鍍槽，所述第二鍍槽在非遮光環(huán)境中進行僅通過置換反應(yīng)的化學(xué)鍍工藝。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件制造設(shè)備，進一步包括：

支架，所述支架保持所述半導(dǎo)體襯底并在遮光狀態(tài)下將所述半導(dǎo)體襯底浸入所述第一鍍槽中。