[發明專利]制作半導體器件結構的方法

有效

• 申請號: 201010218040.5
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN102299075A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 何有豐;胡亞蘭
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768;H01L27/04
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;徐丁峰

1.一種制作半導體器件結構的方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟：

提供具有離子阱的襯底，該襯底上方形成有對應該離子阱的柵極結構；

在所述柵極結構的外圍形成間隙壁結構，該間隙壁結構從外到內依次包括第一側壁層結構和第一墊氧層結構；

在所述襯底上位于所述第一側壁層結構的外側且緊鄰于所述第一側壁層結構的位置形成外延區；

去除所述間隙壁結構中的所述第一側壁層結構，并形成第一偏移側壁層結構；

在所述襯底中位于所述外延區的內側且緊鄰于所述外延區的位置形成輕摻雜區，該輕摻雜區的一部分位于所述第一偏移側壁層結構的下方；

在所述第一偏移側壁層結構的外側形成第二側壁層結構；

在所述外延區的上方且在該第二側壁層結構的外側形成硅化區，以及

在所述襯底中且在該第二側壁層結構的外側形成源/漏極區，得到所述半導體器件結構。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述離子阱為N阱時，所述外延區為鍺化硅外延區；

當所述離子阱為P阱時，所述外延區為碳化硅外延區。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上位于所述第一側壁層結構的外側且緊鄰于所述第一側壁層結構的位置形成外延區進一步包括：

當所述離子阱為N阱時，在所述襯底上位于所述第一側壁層結構的外側且緊鄰于所述第一側壁層結構的位置形成凹槽，且在所述凹槽中填充鍺原子和硅原子形成鍺化硅外延區；

當所述離子阱為P阱時，在所述襯底上位于所述第一側壁層結構的外側且緊鄰于所述第一側壁層結構的位置形成凹槽，且在所述凹槽中填充碳原子和硅原子形成碳化硅外延區。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一墊氧層結構的形成方式是爐管氧化法、快速熱氧化法或原位水蒸氣產生氧化法；

所述第一側壁層結構、所述第一偏移側壁層結構和所述第二側壁層結構的形成方式選自低壓化學氣相沉積、半大氣壓化學氣相沉積和等離子體增強性化學氣相沉積中的任一種。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底中位于所述外延區的內側且緊鄰于所述外延區的位置形成輕摻雜區包括形成多個輕摻雜區。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述離子阱為N阱時，所述在所述外延區的上方且在該第二側壁層結構的外側形成硅化區包括形成為硅鎳鉑合金化合物的硅化區。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括：位于所述襯底上方的柵極絕緣層和位于所述柵極絕緣層上方的柵極金屬層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一墊氧層結構、所述第一側壁層結構、所述第一偏移側壁層結構和所述第二側壁層結構的材料為氧化物、氮化物或兩者的組合物，且所述第一墊氧層結構和所述第一側壁層結構所選用的材料是不同的，所述第一墊氧層結構和所述第一偏移側壁層結構所選用的材料是不同的，所述第一偏移側壁層結構和所述第二側壁層結構的材料是不同的。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，

采用氣體為SiH₄、TEOS、O₂和O₃的混合氣體制備材料為氧化物的所述第一偏移側壁層結構、所述第一側壁層結構和所述第二側壁層結構；

采用氣體為DCS、SiH₄和NH₃的混合氣體制備材料為氮化物的所述第一偏移側壁層結構、所述第一側壁層結構和所述第二側壁層結構。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述離子阱為N阱時，所述輕摻雜區的摻雜雜質為硼或BF₂；

當所述離子阱為P阱時，所述輕摻雜區的摻雜雜質為磷或砷。

11.一種包含通過如權利要求1所述的方法制造的半導體器件結構的集成電路，其中所述集成電路選自隨機存取存儲器、動態隨機存取存儲器、同步隨機存取存儲器、靜態隨機存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻電路。

12.一種包含通過如權利要求1所述的方法制造的半導體器件結構的電子設備，其中所述電子設備選自個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機和數碼相機。