[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件柵極側(cè)墻的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010217764.8
• 申請(qǐng)日: 2010-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN102299062A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃敬勇;沈滿華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種制造半導(dǎo)體器件柵極側(cè)墻的方法，該方法包括：

在半導(dǎo)體的硅襯底上形成柵極；

在柵極及硅襯底的表面沉積二氧化硅層；

對(duì)二氧化硅層反刻后，在反刻剩余的二氧化硅層上沉積氮化硅層；

依次對(duì)氮化硅層和反刻剩余的二氧化硅層進(jìn)行反刻，直到露出柵極的上表面為止，形成環(huán)繞柵極的由二氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成的柵極側(cè)墻。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)二氧化硅層反刻采用干法各向異性刻蝕方法進(jìn)行。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沉積的二氧化硅層厚度為180～200埃，反刻厚度為10～20埃。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對(duì)二氧化硅層反刻在干法刻蝕機(jī)中進(jìn)行，所述干法刻蝕機(jī)采用400～700瓦功率，持續(xù)時(shí)間為5～10秒。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉積氮化硅層在柵極兩個(gè)頂角區(qū)域厚度大于320埃。