[發明專利]抗氧化修整熔絲的方法有效
| 申請號： | 201010216521.2 | 申請日： | 2010-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN101908524A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 岳小兵;祁建華;劉遠華;汪瑞祺;張志勇;葉守銀;牛勇 | 申請（專利權）人： | 上海華嶺集成電路技術有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 修整 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗氧化修整熔絲的方法，其特征在于，包括以下步驟：
測量熔絲探針的阻抗；
判斷熔絲探針的阻抗是否大于上限值，如果是，清理熔絲探針，再回到上述步驟，如果否，執行下述步驟；
根據公式V＝R×I設定熔絲電路的輸出電壓，其中，V表示熔絲電路的輸出電壓，R表示熔絲探針的阻抗，I表示熔絲熔斷電流；
熔斷選定的熔絲。
2.如權利要求1所述的抗氧化修整熔絲的方法，其特征在于，還包括測量晶圓上集成電路參數的初始值，根據測得的參數的初始值選定要修整的熔絲組合。
3.如權利要求1所述的抗氧化修整熔絲的方法，其特征在于，采用測試機的參數測量單元測量所述熔絲探針的阻抗。
4.如權利要求3所述的抗氧化修整熔絲的方法，其特征在于，當所述熔絲探針的阻抗大于上限值時，所述測試機報警指示清理熔絲探針。
5.如權利要求1或3所述的抗氧化修整熔絲的方法，其特征在于，所述熔絲探針阻抗的上限值為10歐姆。
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