[發明專利]激光器二極管

有效

• 申請號: 201010216255.3
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN101938084A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 中島真;橫山隆浩;狩野祥男;高瀬英治;吉田雄太
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種激光器二極管，包括：

多個條形激光器結構，彼此平行地設置并依次包括下覆層、有源層和上覆層；

多個條形上電極，單個地形成在各所述激光器結構的頂面上并電連接到所述上覆層；

多個配線層，至少單個地電連接到各所述上電極；以及

多個焊墊電極，形成在與所述多個激光器結構的區域不同的區域中，并且通過所述配線層電連接到各所述上電極，

其中各所述配線層的端部在與各所述配線層接觸所述上電極的區域不同的區域中。

2.根據權利要求1所述的激光器二極管，其中各所述配線層中在所述激光器結構正上方的部分以所述激光器結構的中心軸為中心是對稱的。

3.根據權利要求2所述的激光器二極管，其中各所述配線層形成為跨過所有的所述激光器結構。

4.根據權利要求1所述的激光器二極管，其中所述激光器結構的頂面布局以所述激光器結構的中心軸為中心是對稱的。

5.根據權利要求1所述的激光器二極管，其中各所述配線層形成在所述激光器結構的頂面的端部。

6.根據權利要求5所述的激光器二極管，包括：

一個或多個虛設配線層，在所述多個激光器結構中的給定的激光器結構的頂面上不用作配線層，

其中各所述激光器結構的頂面上的配線層的總數等于各所述激光器結構的頂面上的虛設配線層的總數。

7.根據權利要求1所述的激光器二極管，包括：

凹槽，在各所述激光器結構之間沿所述激光器結構的延伸方向延伸，

其中各所述配線層至少在所述凹槽的上方設置在空中。

8.根據權利要求1所述的激光器二極管，包括：

凹槽，在各所述激光器結構之間沿所述激光器結構的延伸方向延伸；以及

掩埋層，填充所述凹槽，

其中各所述配線層形成為在所述凹槽上方與所述掩埋層接觸。

9.根據權利要求1所述的激光器二極管，包括：

高電阻區域，在各所述激光器結構之間將所述激光器結構隔開，

其中各所述配線層形成為與所述高電阻區域接觸。

10.一種激光器二極管，包括：

條形激光器結構，依次包括下覆層、有源層和上覆層；

條形上電極，形成在所述激光器結構的頂面上并且電連接到所述上覆層；

配線層，電連接到所述上電極；以及

焊墊電極，形成在與所述激光器結構的區域不同的區域中，并且通過所述配線層電連接到所述上電極，

其中所述配線層的端部在與所述配線層接觸所述上電極的區域不同的區域中。