[發明專利]相移掩膜的制造方法、平板顯示器的制造方法和相移掩膜

有效

• 申請號: 201010215138.5
• 申請日: 2010-06-29
• 公開（公告）號: CN101937170A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 影山景弘;中村大介
• 申請（專利權）人: 愛發科成膜株式會社
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08;H01L21/3105
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營

技術領域

本發明涉及一種相移掩膜的制造方法、平板顯示器的制造方法和相移掩膜，通過其可以形成細小而高精度的曝光圖案。

背景技術

近年來，對于平板顯示器而言，人們通過提高圖案形成精度而使其線寬更為細小，進而可以大幅度提高其圖像質量。當光掩膜的線寬精度和被轉印到基板上時的線寬精度變得更細時，曝光時的光掩膜和基板之間的縫隙就會變得更小。由于用在純平顯示器中的玻璃基板的大小在300mm以上，所以玻璃基板的彎曲，或是表面粗糙度會變大，使圖像質量易于受到景深的影響。

制作平板顯示器時的曝光，由于其玻璃基板的尺寸較大，所以人們一般采用等倍率接近式曝光法，在該方法中使用由不同波長的g線(436nm)、h線(405nm)和i線(365nm)組成的復合光(例如參照專利文獻1)。

但是對于半導體而言，人們只利用ArF激光器(波長為193nm)發出的單一波長的光來進行圖案形成處理，為能使其線寬變得更加細小，人們一般使用半色調相移掩膜的方法(例如參照專利文獻2)。采用上述方法時，當波長為193nm時相移掩膜的相位位移則為180°，從而可以通過設定光強度為零的部位來提高圖案形成精度。另外，由于存在光強度為零的部位，所以能設定較大的景深，從而有利于降低曝光條件或提高圖案形成效率。

【專利文獻1】日本發明專利公開公報特開2007-271720號(第[0031]段)

【專利文獻2】日本發明專利公開公報特開2006-78953號(第[0002]、[0005]段)

伴隨著近年來平板顯示器中的配線圖案變得越來越細小的趨勢，人們對用來制造平板顯示器的光掩膜也提出越來越高的要求，要求其具有更細小的線寬精度。但是，隨著光掩膜變得越來越細小，只研究其曝光條件、顯影條件等的工作也都變得極其困難，人們正期待著可使光掩膜變得更為細小的新技術。

發明內容

鑒于上述技術課題，本發明的目的在于提供一種相移掩膜的制造方法、平板顯示器的制造方法和相移掩膜，通過其可以形成細小而高精度的曝光圖案。

為實現上述目的，在本發明的一種實施方式中所述的相移掩膜的制造方法包括對透明基板上的遮光層進行圖案形成加工的工序。在上述透明基板上以覆蓋上述遮光層的方式形成相移層。具體來講，在混合有40％以上90％以下的氮化氣體和10％以上35％以下的氧化氣體的環境中，使由鉻系材料制成的靶產生濺射而形成上述相移層。上述相移層的厚度要求是可以使任何一種波長在300nm以上500nm以下范圍內的光產生180°的相位差。通過圖案形成加工而獲得的該相移層具有規定的形狀。

另外，為實現上述目的，在本發明的一種實施方式中所述的平板顯示器的制造方法包括在基板上形成光致抗蝕膜層的工序。相移掩膜以接近上述光致抗蝕膜層的方式設置。上述相移掩膜具有由氮化氧化鉻材料組成的相移層，該相移層可使任何一種波長在300nm以上500nm以下范圍內的光產生180°的相位差。采用將上述波長為300nm以上500nm以下的復合光照射上述相移掩膜的方法使上述光致抗蝕膜層曝光。

還有，為實現上述目的，在本發明的一種實施方式中所述的相移掩膜包括透明基板、遮光層和相移層。上述遮光層形成在上述透明基板上。上述相移層形成在上述遮光層的周圍，由氮化氧化鉻材料組成，可使任何一種波長在300nm以上500nm以下范圍內的光產生180°的相位差。

附圖說明

圖1是用來說明本發明的第一實施方式中所述的相移掩膜的制造方法的工序圖。

圖2是表示上述相移掩膜的相移層的成膜條件和光學特性之間的關系的實驗結果。

圖3是用來說明本發明的第二實施方式中所述的相移掩膜的制造方法的工序圖。

【附圖標記說明】

1、2，相移掩膜；10，透明基板；11、11P1、11P2，遮光層；12P1、12P2、14P1、14P2，掩膜圖案；13P1、13P2，相移層

具體實施方式

在本發明的一種實施方式中所述的相移掩膜的制造方法包括對透明基板上的遮光層進行圖案形成加工的工序。在上述透明基板上以覆蓋上述遮光層的方式形成相移層。具體來講，在混合有40％以上90％以下的氮化氣體和10％以上35％以下的氧化氣體的環境中，使由鉻系材料制成的靶產生濺射而形成上述相移層。上述相移層的厚度要求是可以使任何一種波長在300nm以上500nm以下范圍內的光產生180°的相位差。形成后的上述相移層利用圖案形成加工而得到規定的圖案。