[發(fā)明專利]相移掩膜的制造方法、平板顯示器的制造方法和相移掩膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010215138.5
• 申請(qǐng)日: 2010-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101937170A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 影山景弘;中村大介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)發(fā)科成膜株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/08
• 分類號(hào): G03F1/08;H01L21/3105
• 代理公司: 北京華夏正合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營(yíng)

1.一種相移掩膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

對(duì)透明基板上的遮光層進(jìn)行圖案形成加工的工序，

在所述透明基板上形成覆蓋所述遮光層的相移層的工序，其方法為，在混合有40％以上90％以下的氮化氣體和10％以上35％以下的氧化氣體的環(huán)境中，使由鉻系材料制成的靶產(chǎn)生濺射而形成所述相移層，所述相移層對(duì)任何一種波長(zhǎng)在300nm以上500nm以下范圍內(nèi)的光產(chǎn)生180°的相位差，

對(duì)所述相移層進(jìn)行圖案形成加工的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，

在形成所述相移層的工序中，形成厚度為可使i線產(chǎn)生大致180°的相位差的所述相移層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，

在形成所述相移層的工序中，形成厚度為可使h線產(chǎn)生大致180°的相位差的所述相移層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，

在形成所述相移層的工序中，形成厚度為可使i線產(chǎn)生的相位差和使g線產(chǎn)生的相位差的差值在40°以下的所述相移層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，

所述混合氣體中包含有惰性氣體。

6.一種平板顯示器的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板上形成光致抗蝕膜層的工序，

在鄰近所述光致抗蝕膜層的位置設(shè)置相移掩膜的工序，所述相移掩膜具有由氮化氧化鉻材料組成的相移層，使任何一種波長(zhǎng)在300nm以上500nm以下范圍內(nèi)的光產(chǎn)生180°相位差，

用所述波長(zhǎng)在300nm以上500nm以下的復(fù)合光照射所述相移掩膜以使所述光致抗蝕膜層曝光的工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，

對(duì)所述光致抗蝕膜層進(jìn)行曝光的工序中使用由g線、h線和i線組成的復(fù)合光。

8.一種相移掩膜，其特征在于，包括：

透明基板，

形成在所述透明基板上的遮光層，

形成在所述遮光層周圍的相移層，所述相移層由氮化氧化鉻材料組成，可以使任何一種波長(zhǎng)在300nm以上500nm以下范圍內(nèi)的光產(chǎn)生180°的相位差。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相移掩膜，其特征在于，

所述波長(zhǎng)范圍內(nèi)的復(fù)合光為由g線、h線和i線組成的復(fù)合光。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的相移掩膜，其特征在于，

所述相移層的厚度為可使i線產(chǎn)生的相位差和使g線產(chǎn)生的相位差的差值在40°以下的厚度。