[發明專利]一種電壓產生裝置

無效

• 申請號: 201010213508.1
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN101943928A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 吳杰
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: G05F3/30
• 分類號: G05F3/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電壓產生裝置，其包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管，其中所述第一晶體管和第二晶體管的襯底連接到電源上，第一晶體管的柵極和漏極、第二晶體管的柵極以及第三晶體管的源極連接在一起；第四晶體管的源極與第二晶體管的漏極相連；第三晶體管的柵極和漏極、第四晶體管的柵極以及第五晶體管的源極連接在一起；第五晶體管的柵極、第四晶體管的漏極以及第六晶體管的源極連接在第一節點；第五晶體管的漏極、第六晶體管的柵極和漏極接地，其特征在于：

所述第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管的襯底分別連接到各自的源極上，所述第一節點作為輸出電壓節點。

2.根據權利要求1所述的產生與溫度相關電壓的電壓產生裝置，其特征在于：所述第一晶體管和所述第二晶體管的寬長比相等，所述第三晶體管和所述第四晶體管的寬長比相等。

3.根據權利要求1所述的產生于溫度相關電壓的電壓產生裝置，其特征在于：所述晶體管為PMOS管或NMOS管。

4.根據權利要求2所述的產生于溫度相關電壓的電壓產生裝置，其特征在于：在各個晶體管的寬長比滿足如下關系：

3ln(W/L)₆＞ln(W/L)₁+ln(W/L)₃+ln(W/L)₅

則第一節點處輸出的電壓隨著溫度升高而線性下降，其中(W/L)₆、(W/L)₁、(W/L)₃和(W/L)₅分別為所述第六晶體管、第一晶體管、第三晶體管和第五晶體管的寬長比。

5.根據權利要求2所述的產生于溫度相關電壓的電壓產生裝置，其特征在于：在各個晶體管的寬長比滿足如下關系：

3ln(W/L)₆＝ln(W/L)₁+ln(W/L)₃+ln(W/L)₅

則第一節點處輸出的電壓隨著溫度升高而保持不變，其中(W/L)₆、(W/L)₁、(W/L)₃和(W/L)₅分別為所述第六晶體管、第一晶體管、第三晶體管和第五晶體管的寬長比。

6.根據權利要求2所述的產生于溫度相關電壓的電壓產生裝置，其特征在于：在各個晶體管的寬長滿足如下關系：

3ln(W/L)₆＜ln(W/L)₁+ln(W/L)₃+ln(W/L)₅

則第一節點處輸出的電壓隨著溫度升高而線性增大，其中(W/L)₆、(W/L)₁、(W/L)₃和(W/L)₅分別為所述第六晶體管、第一晶體管、第三晶體管和第五晶體管的寬長比。