[發明專利]母板及TFT陣列基板的制造方法有效

申請號：	201010211521.3	申請日：	2010-06-21
公開（公告）號：	CN102289115A	公開（公告）日：	2011-12-21
發明（設計）人：	劉華鋒;肖紅璽;蘇順康;吳平;丁漢亭	申請（專利權）人：	北京京東方光電科技有限公司
主分類號：	G02F1/1362	分類號：	G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
代理公司：	北京中博世達專利商標代理有限公司 11274	代理人：	張麗榮
地址：	100176 北***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	母板 tft 陣列制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及母板及TFT(Thin?FilmTransistor，薄膜場效應晶體管)陣列基板的制造方法。

背景技術

目前的TFT陣列基板制造工藝中首先沉積柵金屬層并刻蝕出柵圖案，然后在具有柵圖案層基板表面沉積柵極絕緣層，然后依次制造有源層和源/漏金屬層。TFT陣列基板在陣列工藝中，主要包括沉積、刻蝕等工藝，由于沉積設備、刻蝕設備一般需要較高的工作電壓，這種較高的工作電壓會導致TFT陣列基板在制造過程中可能使得其中的金屬層聚集較多電荷；并且TFT陣列基板的制造過程需要多次搬運，這樣的搬運對TFT陣列基板中的玻璃基板產生摩擦，使得玻璃基板上產生電荷，而玻璃基板上產生的電荷都會聚集到與玻璃基板直接接觸的柵金屬層上。

在實現現有的TFT陣列基板制造工藝的過程中，發明人發現現有技術中至少存在如下問題：TFT陣列基板在制造過程中會在金屬層上聚集較多電荷，而采用現有工藝制造的TFT陣列基板上的柵金屬層和源/漏金屬層之間完全被柵極絕緣層隔開，兩個金屬層之間極容易因為電荷的聚集而形成電勢差，從而使得TFT陣列基板在制造過程容易發生靜電擊穿現象，導致產品的合格率和良品率降低。

發明內容

本發明的實施例提供一種母板及TFT陣列基板的制造方法，能夠有效減少TFT陣列基板在制造過程發生的靜電擊穿現象。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種母板，包括具有至少一個顯示區域的基板，并且所述顯示區域的周邊設置有預切割區域，每個顯示區域相鄰兩側的預切割區域分別設有電連接的柵線連通線和數據連通線；所述柵線連通線與對應顯示區域中柵極掃描線均電連接，所述數據連通線與對應顯示區域中數據掃描線均電連接。

一種TFT陣列基板的制造方法，所述TFT陣列基板具有至少一個顯示區域，并且所述顯示區域的周邊設置有預切割區域，所述制造方法包括：

在每個顯示區域相鄰的兩側的預切割區域分別形成電連接的柵線連通線和數據連通線；所述柵線連通線與對應顯示區域中柵極掃描線均電連接，所述數據連通線與對應顯示區域中數據掃描線均電連接。

本發明實施例提供的母板及TFT陣列基板的制造方法，由于每個顯示區域中的柵極掃描線都與對應的柵線連通線電連接，數據掃描線都與對應的數據連通線連接，并且柵線連通線和數據連通線之間也是電連接的，這樣一來，通過柵線連通線和數據連通線可以將每個顯示區域中所有柵極掃描線和數據掃描線連接到一起。只要在柵金屬層或者源/漏金屬層上聚集了電荷，通過上述的電連接關系可以將聚集的電荷會分布在所有柵極掃描線和數據掃描線上，形成靜電平衡；由于在靜電平衡狀態下，相連兩個導體之間的電勢相等，故而兩個金屬層之間沒有電勢差。

所以，采用本發明提供的母板及TFT陣列基板的制造方法，由于兩個金屬層之間沒有電勢差，所以，有效減少了TFT陣列基板在制造過程發生的靜電擊穿現象，提高了產品的合格率和良品率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例1中母板的示意圖；

圖2為本發明實施例1中母板的一個顯示區域的示意圖；

圖3為本發明實施例1中沉積有源薄膜后A-A向剖視圖；

圖4為本發明實施例1中沉積源/漏金屬層后中A-A向剖視圖；

圖5a為本發明實施例1中TFT陣列基板的制作方法第一過程；

圖5b為本發明實施例1中TFT陣列基板的制作方法第二過程；

圖5c為本發明實施例1中TFT陣列基板的制作方法第三過程；

圖5d為本發明實施例1中TFT陣列基板的制作方法第四過程；

圖5e為本發明實施例1中TFT陣列基板的制作方法第五過程；