[發明專利]硅片去膠裝置及方法

有效

• 申請號: 201010209822.2
• 申請日: 2010-06-25
• 公開（公告）號: CN102298276A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 王磊;景玉鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 王建國

技術領域

本發明涉及半導體去膠技術/光刻膠剝離技術，特別涉及一種硅片去膠裝置及方法。

背景技術

在現代CM0S器件制造工藝中，幾乎所有襯底結構都是經由離子注入形成的。高能離子會損傷光刻膠，使其變得很難去除。在注入之后，這些離子會以氧化層、次氧化層或有機化合物等形式存在。這些高能離子還會使光刻膠表面變成一種金剛石型與石墨型混合的碳質層。因此碳化工藝使得注入光刻膠的去除變得很具挑戰性。對于硅上的注入光刻膠去除，可以使用堿性或酸性氟基溶液實現，但是會造成對底層硅的損耗；也可以使用等離子體去膠技術，但是非均勻等離子體產生的電荷會損傷晶圓表面的敏感結構。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種硅損傷和硅損耗小的硅片去膠裝置及方法。

根據本發明的一個方面，提供一種硅片去膠裝置包括：

去離子水儲罐(1)、CO₂儲氣罐(2)、用于將去離子水和CO₂混合形成混合溶液的混合罐(5)、對所述混合溶液加熱，使所述混合溶液中的CO₂達到超臨界態、使去離子水達到高溫高壓的熱交換器(7)及用于對硅片(12)去膠的反應腔體(10)；所述去離子水儲罐(1)與CO₂儲氣罐(2)的出口與所述混合罐(5)一端連接，所述混合罐(5)另一端通過所述熱交換器(7)與所述反應腔體(10)入口連接。

根據本發明的一個方面，提供一種硅片去膠方法包括：

形成液態CO₂和去離子水的混合溶液；

對所述混合溶液加熱，使所述混合溶液中的CO₂達到超臨界態，使去離子水達到高溫高壓狀態；及

使用含超臨界態的CO₂和高溫高壓的去離子水的所述混合溶液對硅片進行去膠處理。

根據本發明的去膠處理裝置及方法，利用超臨界二氧化碳獨特的滲透和傳輸特性以及高溫高壓水的氧化性，可以將無機碳化厚層和底部有機光刻膠全部氧化溶解，去膠效率較高，無殘留物，薄膜材料的損失最小化；另外，省略灰化步驟大大降低了對襯底的損傷；在去膠過程中，氧化層的形成，均方差粗糙度較低。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的硅片去膠裝置的結構示意圖；

圖2是本發明實施例提供的硅片去膠方法的流程示意圖；

本發明目的、功能及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。

具體實施方式