[發(fā)明專利]太陽能電池及制造太陽能電池的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010207365.3 | 申請日: | 2010-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN101931029A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸鉉定;李大龍;崔榮嫮;韓東昊 | 申請(專利權(quán))人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;呂俊剛 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種用于制造太陽能電池的方法,所述方法包括以下步驟:
形成發(fā)射區(qū),所述發(fā)射區(qū)與第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底形成p-n結(jié);
在所述半導(dǎo)體襯底上形成鈍化層;
在所述鈍化層上形成包含第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的摻雜層;以及
通過將激光束照射在所述半導(dǎo)體襯底上以使所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體襯底中,在所述半導(dǎo)體襯底處局部地形成背面場區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該形成所述背面場區(qū)的步驟通過對所述摻雜層照射激光束以使所述摻雜層的所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體襯底中來形成所述背面場區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,該方法進(jìn)一步包括以下步驟:在所述發(fā)射區(qū)上形成防反射層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,該方法進(jìn)一步包括形成第一電極和第二電極的步驟,該形成第一電極和第二電極的步驟包括以下步驟:
在所述防反射層上提供第一電極膏;
在所述摻雜層上提供第二電極膏;以及
對具有所述第一電極膏和所述第二電極膏的所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,該方法進(jìn)一步包括以下步驟:
在所述摻雜層上提供第二電極膏;并且
該局部地形成所述背面場區(qū)的步驟包括以下步驟:對所述第二電極膏照射激光束,以使所述摻雜層的所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體襯底中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,該方法進(jìn)一步包括以下步驟:在所述發(fā)射區(qū)上形成防反射層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,該方法進(jìn)一步包括以下步驟:
在所述防反射層上提供第一電極膏;以及
對具有所述第一電極膏和所述第二電極膏的所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行加熱。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述背面場區(qū)的所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的濃度比所述半導(dǎo)體襯底的所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的濃度更高。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該形成所述摻雜層的步驟利用旋壓摻雜法、直接印刷法、絲網(wǎng)印刷法以及噴霧摻雜法中的一種形成所述摻雜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述激光束的脈沖寬度為約10飛秒至約50納秒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,該方法進(jìn)一步包括以下步驟:在所述鈍化層中形成多個通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述鈍化層是多層結(jié)構(gòu)。
13.一種太陽能電池,其包括:
第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底;
發(fā)射區(qū),其包含與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì),并位于第一導(dǎo)電類型的所述半導(dǎo)體襯底處;
連接到所述發(fā)射區(qū)的第一電極;
位于所述半導(dǎo)體襯底上的鈍化層;
摻雜層,其包含所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì),并位于所述鈍化層上;
第二電極,其位于所述摻雜層上并電連接到所述半導(dǎo)體襯底;以及
多個背面場區(qū),該多個背面場區(qū)位于所述半導(dǎo)體襯底處并連接到所述第二電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽能電池,其中,所述摻雜層的表面具有多個第一凹部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽能電池,其中,所述多個第一凹部分別對應(yīng)于所述多個背面場區(qū)的形成位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽能電池,其中,所述第二電極的表面具有多個第二凹部。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的太陽能電池,其中,所述多個第二凹部分別對應(yīng)于所述多個背面場區(qū)的位置。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽能電池,其中,所述多個背面場區(qū)的所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的濃度比所述半導(dǎo)體襯底的所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的濃度更高。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽能電池,其進(jìn)一步包括:
多個接觸孔,該多個接觸孔的位置對應(yīng)于所述襯底處的所述多個背面場區(qū);并且
所述第二電極通過所述多個接觸孔電連接到所述半導(dǎo)體襯底。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的太陽能電池,其中,所述多個接觸孔填充有所述第二電極的材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





