[發明專利]太陽能電池及制造太陽能電池的方法無效
| 申請號: | 201010207365.3 | 申請日: | 2010-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN101931029A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發明(設計)人: | 樸鉉定;李大龍;崔榮嫮;韓東昊 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;呂俊剛 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
技術領域
本發明的實施方式涉及一種太陽能電池及制造所述太陽能電池的方法。
背景技術
本申請要求2009年6月18日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請號10-2009-0054450的優先權和權益,將其全部內容通過引用并入本文。
近來,預計諸如石油和煤炭等已有能源即將耗盡,對于代替已有能源的替代能源的興趣日益增長。在這些替代能源中,從太陽能產生電能的太陽能電池尤其得到了廣泛的關注。硅太陽能電池通常包括:襯底和發射區,它們各自由半導體形成;以及分別在所述襯底和所述發射區上形成的多個電極。形成所述襯底和所述發射區的半導體具有諸如p型和n型的不同導電類型。在所述襯底和所述發射區之間的分界處形成p-n結。
當光照射在太陽能電池上時,在所述半導體上產生多個電子-空穴對。通過光伏效應將所述電子-空穴對分離成電子和空穴。因此,被分離的電子運動到n型半導體(例如,所述發射區),而被分離的空穴運動到p型半導體(例如,所述襯底)。分別利用電連接到所述發射區的電極以及電連接到所述襯底的電極來收集所述電子和空穴。利用電線將所述電極相互連接,由此獲得電力。
發明內容
根據本發明一個方面,提供了一種用于制造太陽能電池的方法,該方法可以包括以下步驟:形成發射區,所述發射區與第一導電類型的半導體襯底形成p-n結;在所述半導體襯底上形成鈍化層;在所述鈍化層上形成包含第一導電類型的雜質的摻雜層;以及通過將激光束照射在所述半導體襯底上以使所述第一導電類型的雜質擴散到所述半導體襯底中,在所述半導體襯底處局部地形成背面場區。
根據另一方面,提供了一種太陽能電池,其可以包括:第一導電類型的半導體襯底;發射區,其包含與所述第一導電類型相反的第二導電類型的雜質,并位于第一導電類型的所述半導體襯底處;連接到所述發射區的第一電極;位于所述半導體襯底上的鈍化層;摻雜層,其包含所述第一導電類型的雜質,并位于所述鈍化層上;第二電極,其位于所述摻雜層上并電連接到所述半導體襯底;以及多個背面場區,該多個背面場區位于所述半導體襯底處并連接到所述第二電極。
根據本發明另一個方面,提供了一種太陽能電池,其可以包括:第一導電類型的半導體襯底;發射區,其包含與所述第一導電類型相反的第二導電類型的雜質并位于第一導電類型的所述半導體襯底處;連接到所述發射區的第一電極;位于所述半導體襯底上的鈍化層;第二電極,其位于所述半導體層上并電連接到所述半導體襯底;多個背面場區,其局部地位于所述半導體襯底處并連接到所述第二電極;以及局部地位于所述多個背面場區處的多個混合部,所述多個混合部至少包含與所述半導體襯底相同類型的雜質。
附圖說明
包含附圖以提供對于本發明的進一步理解,將所述附圖并入此處,作為本說明書的一部分,所述附圖示出了本發明的實施方式,其與本文描述一起用來解釋本發明的原理。在附圖中:
圖1是根據本發明的一個實施方式的太陽能電池的例子的局部截面圖;
圖2A至2H是按時序示出了制造圖1所示太陽能電池的處理的剖面圖;
圖3至6是根據本發明的一個實施方式的太陽能電池的例子的局部截面圖;
圖7是根據本發明另一個實施方式的太陽能電池的例子的局部截面圖;
圖8A和8B是示出制造圖7所示太陽能電池的部分處理的剖面圖;
圖9和10是根據的本發明另一個實施方式的太陽能電池的其它例子的局部截面圖。
具體實施方式
此后將參考附圖更加全面地描述本發明,其中示出了本發明的示例性實施方式。然而,可以以很多不同的形式實施本發明,不應將其理解為僅限于本文闡述的這些實施方式。
在附圖中,為清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中,用類似的附圖標記表示類似的組件。可以理解,當將諸如層、膜、區域或基板之類的組件稱為在另一個組件“之上”時,其可以直接位于其它組件上,或者也可以存在中間組件。相反,當將一個組件稱為“直接在另一個組件之上”時,則不存在中間組件。此外,可以理解的是,當將諸如層、膜、區域等組件稱為“完全”位于另一個組件之上時,其可能在所述其它組件的整個表面上,且可能不在所述其它組件的邊緣部分上。
現在將詳細描述本發明的實施方式,在附圖中示出了其中的例子。
接著,將參考附圖詳細描述根據本發明的實施方式的太陽能電池。
首先,將參考附圖1至6描述根據本發明的一個示例性實施方式的太陽能電池。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





