[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010206130.2
• 申請日: 2006-10-08
• 公開（公告）號: CN101859774A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 坪井信生;五十嵐元繁
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李浩;高為

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一有源區，設置在基板上的存儲器區域內；

第二有源區，通過元件隔離與所述第一有源區進行隔離、并設置在比所述第一有源區內更靠近所述存儲器區域中心的位置處；

第一柵電極，橫切所述第一有源區；

第二柵電極，與所述第一柵電極隔離并橫切所述第一有源區及所述第二有源區；

第一漏極單元，位于所述第一有源區中的所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；

第二漏極單元，位于所述第二有源區中的第二柵電極的所述第一漏極單元側；

第一布線，連接所述第一漏極單元和所述第二漏極單元；

第三柵電極，與所述第一柵電極及所述第二柵電極隔離、端部面對所述第一柵電極的所述第二有源區側的端部；以及

第二布線，連接所述第二漏極單元和所述第三柵電極，

所述第二布線沿著相對于所述第一布線的長度方向傾斜的方向配置。

2.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一有源區，設置在基板上的存儲器區域內；

第二有源區，通過元件隔離與所述第一有源區進行隔離、并設置在比所述第一有源區內更靠近所述存儲器區域中心的位置處；

第一柵電極，橫切所述第一有源區；

第二柵電極，與所述第一柵電極隔離并橫切所述第一有源區及所述第二有源區；

第一漏極單元，位于所述第一有源區中的所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；

第二漏極單元，位于所述第二有源區中的第二柵電極的所述第一漏極單元側；

第一布線，連接所述第一漏極單元和所述第二漏極單元；

第三柵電極，與所述第一柵電極及所述第二柵電極隔離、端部面對所述第一柵電極的所述第二有源區側的端部；

第二布線，連接所述第二漏極單元和所述第三柵電極；以及

層間絕緣膜，覆蓋所述基板上，并形成為與所述第二柵電極和所述第三柵電極大致相同的高度，

所述第二布線的側面與所述第三柵電極的側面相接觸。

3.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一有源區，設置在基板上的存儲器區域內；

第二有源區，通過元件隔離與所述第一有源區進行隔離、并設置在比所述第一有源區內更靠近所述存儲器區域中心的位置處；

第一柵電極，橫切所述第一有源區；

第二柵電極，與所述第一柵電極隔離并橫切所述第一有源區及所述第二有源區；

第一漏極單元，位于所述第一有源區中的所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；

第二漏極單元，位于所述第二有源區中的所述第二柵電極的所述第一漏極單元側；

第一布線，連接所述第一漏極單元和所述第二漏極單元；

第三柵電極，與所述第一柵電極及所述第二柵電極隔離、端部面對所述第一柵電極的所述第二有源區側的端部；

第二布線，連接所述第二漏極單元和所述第三柵電極；以及

層間絕緣膜，覆蓋所述基板上，并形成為與所述第二柵電極和所述第三柵電極大致相同的高度，

所述第二布線的側面與所述第三柵電極的側面相接觸，所述第二布線沿著相對于所述第一布線的長度方向傾斜的方向配置。

4.根據權利要求1～3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，

所述第三柵電極的面對所述第一柵電極的端部，相比于所述第二有源區的面對所述第一柵電極的左端部，從所述第一柵電極更向右后退。

5.根據權利要求1或者3所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一布線及所述第二布線形成在所述層間絕緣膜內。

6.根據要求1～3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，

在所述第一漏極單元和所述第二漏極單元之間的元件隔離的溝槽設置所述第一布線。