[發明專利]使用低K電介質的集成電路系統及其制造方法

有效

• 申請號: 201010205666.2
• 申請日: 2010-06-10
• 公開（公告）號: CN101924063A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: D·K·孫;W·劉;F·張;J·B·譚;J·H·李;B·C·張;L·杜;W·劉;Y·K·林
• 申請（專利權）人: 新加坡格羅方德半導體制造私人有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;靳強

1.一種制造集成電路系統的方法，該方法包括：

制造具有集成電路的基板；

在所述集成電路上提供低K電介質層；

在所述集成電路上的所述低K電介質層中形成通孔與溝槽；

通過化學機械平坦化工藝形成結構表面；以及

提供直接注入物至所述結構表面，用于形成注入物層以及金屬鈍化層，包含修復由所述化學機械平坦化工藝造成對所述低K電介質層的破壞。

2.根據權利要求1所述的制造集成電路系統的方法，進一步包括在所述結構表面上形成電介質覆蓋層。

3.根據權利要求1所述的制造集成電路系統的方法，進一步包括在所述低K電介質層中沉積互連金屬，用于形成所述通孔與所述溝槽。

4.根據權利要求1所述的制造集成電路系統的方法，其中形成所述通孔與所述溝槽包含在所述低K電介質層中的開口上沉積擴散障礙層。

5.根據權利要求1所述的制造集成電路系統的方法，其中通過注入摻質而提供所述直接注入物至所述表面結構，用于物理性與化學性改變所述注入物層與所述金屬鈍化層。

6.一種集成電路系統，包括：

具有集成電路的基板；

低K電介質層用于所述集成電路上；

所述集成電路上的通孔與溝槽；

在所述通孔、所述溝槽與所述低K電介質層上通過化學機械平坦化工藝所形成的結構表面；以及

通過直接注入物經過所述結構表面所形成的注入物層與金屬鈍化層。

7.根據權利要求6所述的集成電路系統，進一步包括在所述結構表面上的電介質覆蓋層。

8.根據權利要求6所述的集成電路系統，進一步包括在所述低K電介質層中沉積的互連金屬用于所述通孔與溝槽。

9.根據權利要求6所述的集成電路系統，其中在所述低K電介質層中形成的所述通孔與所述溝槽包含在所述低K電介質層中開口上的擴散障礙層。

10.根據權利要求6所述的集成電路系統，其中通過所述直接注入物經過所述結構表面所形成的所述注入物層與所述金屬鈍化層包含摻質，所述摻質被注入用于物理性與化學性改變所述注入物層與所述金屬鈍化層。