[發明專利]薄型電阻及其制造方法無效
| 申請號: | 201010203810.9 | 申請日: | 2010-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN102290170A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發明(設計)人: | 廖進忠 | 申請(專利權)人: | 臺灣雙羽電機股份有限公司;雙羽電子(深圳)有限公司;雙羽電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01C3/00 | 分類號: | H01C3/00;H01C1/01;H01C1/144;H01C17/00 |
| 代理公司: | 北京市中聯創和知識產權代理有限公司 11364 | 代理人: | 高龍鑫;劉春生 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種薄型電阻及其制造方法,特別涉及一種利用金屬薄片制造的薄型電阻及其制造方法。
背景技術
隨著科技的進步,現在的電子產品都以輕薄為設計的目標。因此市場上已經出現一種薄型化電視,例如LED電視。以一般LED電視的規格而言,其厚度約為20毫米。但其面板占去約10毫米,殼體厚度為2毫米,因此其余內部電路元件的厚度勢必要減少。如此一來,薄型化的無源元件將為設計的趨勢。
在現有技術中已經揭露一種薄型電阻,其利用轉印圖形(Print?pattern)及應用激光雕刻的方式制成。但利用此方式制造的薄型電阻必須在轉印后,逐一的修整或刻劃所需的阻抗值及誤差值,因此在量產速度及制造成本上是一大問題。且利用激光蝕刻的方式可制造出的阻抗值選擇將因轉印的圖形而受限制,導電層的厚度比本設計薄,在利用上會有許多限制。若要制成較薄的無源元件,也會有脈沖強度不足的問題。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種薄型電阻,其利用精密沖壓金屬薄片的技術制造。
本發明的另一主要目的在于提供一種薄型電阻的制造方法。
為達到上述目的,本發明薄型電阻,包括金屬薄片、陶瓷基體以及至少兩金屬導線。該金屬薄片包括多個導電通路。該陶瓷基體具有凹槽,金屬薄片嵌合于凹槽。該至少兩金屬導線分別與金屬薄片焊接連接。金屬薄片通過多個導電通路以提供一電阻值。
本發明所述的薄型電阻,其中,該金屬薄片利用一沖壓工藝形成。
本發明所述的薄型電阻,其中,還包括一硅樹脂,用以絕緣密封該陶瓷基體及該金屬薄片。
本發明所述的薄型電阻,其中,該金屬薄片的厚度為0.025毫米至0.1毫米之間。
本發明所述的薄型電阻,其中,該薄型電阻的厚度為1.9毫米至2.1毫米之間。
本發明薄型電阻的制造方法,包括以下步驟:根據所需的電阻值,利用沖壓工藝形成金屬薄片,金屬薄片包括多個導電通路;提供至少兩金屬導線以分別連接金屬薄片;提供一陶瓷基體,陶瓷基體包括一凹槽;以及嵌合該金屬薄片于該陶瓷基體的凹槽。
本發明所述的薄型電阻的制造方法,其中,還包括以下步驟:根據所需的該電阻值,以選取該金屬薄片的材料或厚度。
本發明所述的薄型電阻的制造方法,其中,還包括以下步驟:提供一硅樹脂,以絕緣密封該陶瓷基體及該金屬薄片;以及執行一烘干流程,以形成該薄型電阻。
本發明具有以下有益效果為:可提供同時滿足電阻值和厚度要求的薄型電阻,也可克服現有技術中強度不足的問題,明顯優于現有技術的電阻。
附圖說明
圖1A-1B為本發明的金屬薄片嵌合于陶瓷基體的一實施方式的示意圖。
圖1C為本發明薄型電阻的外觀示意圖。
圖2為本發明的金屬薄片的正面視圖。
圖3為本發明的金屬薄片的側視圖。
圖4為本發明薄型電阻的制造方法的步驟流程圖。
【主要元件符號說明】
薄型電阻10
金屬薄片20
導電通路21
壓痕22
陶瓷基體30
凹槽31
金屬導線40
硅樹脂50
間距d
厚度t
寬度W
長度L
具體實施方式
為讓本發明的上述和其它目的、特征和優點能更明顯易懂,下文特舉出本發明的具體實施例,并配合所示附圖,作詳細說明如下。
請先同時參考圖1A到1C關于本發明薄型電阻的相關示意圖,其中圖1A-1B為本發明的金屬薄片嵌合于陶瓷基體的一實施方式的示意圖,圖1C為本發明薄型電阻的外觀示意圖。其中金屬薄片20通過圖1A-1B所示的方式以嵌合于陶瓷基體30,最后再形成圖1C中所示的薄型電阻10。
本發明薄型電阻10用于電子裝置(圖未示)內,用以提供一電阻值。薄型電阻10的厚度優選介于1.9毫米至2.1毫米之間。當超薄型電子裝置(例如超薄型電視或顯示器)的厚度僅有2厘米時,其內部所需的零件,相對應地也必須非常薄,因此本發明薄型電阻10可滿足此需求。
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