[發明專利]薄型電阻及其制造方法

無效

• 申請號: 201010203810.9
• 申請日: 2010-06-17
• 公開（公告）號: CN102290170A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 廖進忠
• 申請（專利權）人: 臺灣雙羽電機股份有限公司;雙羽電子(深圳)有限公司;雙羽電子(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01C3/00
• 分類號: H01C3/00;H01C1/01;H01C1/144;H01C17/00
• 代理公司: 北京市中聯創和知識產權代理有限公司 11364
• 代理人: 高龍鑫;劉春生

1.一種薄型電阻，其特征在于，包括：

一金屬薄片，包括多個導電通路；

一陶瓷基體，具有一凹槽，該金屬薄片嵌合于該凹槽；以及

至少兩金屬導線，這些金屬導線分別與該金屬薄片焊接連接。

2.如權利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，該金屬薄片利用一沖壓工藝形成。

3.如權利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，還包括一硅樹脂，用以絕緣密封該陶瓷基體及該金屬薄片。

4.如權利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，該金屬薄片的厚度為0.025毫米至0.1毫米之間。

5.如權利要求1所述的薄型電阻，其特征在于，該薄型電阻的厚度為1.9毫米至2.1毫米之間。

6.一種薄型電阻的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據所需的一電阻值，利用一沖壓工藝形成一金屬薄片，該金屬片包括多個導電通路；

提供至少兩金屬導線以分別連接該金屬薄片；

提供一陶瓷基體，該陶瓷基體包括一凹槽；以及

嵌合該金屬薄片于該陶瓷基體的該凹槽。

7.如權利要求6所述的薄型電阻的制造方法，其特征在于，還包括以下步

驟：根據所需的該電阻值，以選取該金屬薄片的材料或厚度。

8.如權利要求6所述的薄型電阻的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟：

提供一硅樹脂，以絕緣密封該陶瓷基體及該金屬薄片；以及

執行一烘干流程，以形成該薄型電阻。