[發明專利]像素單元和液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201010203756.8 | 申請日: | 2010-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN102279493A | 公開(公告)日: | 2011-12-14 |
| 發明(設計)人: | 霍思濤;凌志華 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 單元 液晶 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種邊緣場開關(FFS,Fringe?Field?Switching)模式的像素單元和液晶顯示裝置。
背景技術
液晶顯示裝置,由于具有低壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優點,現已廣泛應用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設備的顯示裝置。
與陰極射線管或等離子體顯示裝置不同,液晶分子自身并不發光,而是通過調制外界光達到顯示目的,即依靠對外界光的不同反射或透射形成不同對比度,從而達到顯示目的。
現有技術中,液晶分子在豎直方向上發生偏轉,以調制外界光,但是這會導致顯示器視角較小。當前液晶顯示領域的研究熱點之一就是廣視角技術,而FFS模式的液晶顯示裝置就是廣視角技術中頗具優勢的一種。
在公開號為CN101046592A的中國專利申請中就公開了一種FFS模式的液晶顯示裝置。參考圖1,示出了所述中國專利申請中FFS模式的液晶顯示裝置的示意圖,所述液晶顯示裝置包括:陣列基板AR、彩色濾光片基板CF、以及位于陣列基板AR和彩色濾光片基板CF之間的液晶層LC,所述陣列基板AR在入射光的入射面上設置有第一偏振片61,彩色濾光片基板CF在透射光的出射面上設置有與第一偏光片61偏振方向垂直的第二偏光片62,其中,陣列基板AR,在與液晶層LC相對的面上設置公共電極75、位于公共電極75上的絕緣層76以及位于絕緣層76上的多個條狀像素電極78,在公共電極75上加載公共電壓,在條狀像素電極78上加載像素電壓,則可以在條狀像素電極78和公共電極75之間形成電場,所述電場可以控制液晶分子在水平面內旋轉,施加于條狀像素電極78上的像素電壓不同,則液晶分子的偏轉角度不同。液晶顯示裝置通過水平面內旋轉的液晶分子對入射光進行調制,同時在第一偏光片61和第二偏光片62的配合下,可以獲得不同的光強的透射光,從而實現顯示目的。
FFS模式的液晶顯示裝置包括多個陣列排布的像素單元,參考圖2,示出了圖1所示FFS模式的液晶顯示裝置中一像素單元的示意圖。所述像素單元包括柵線72、與所述柵線72垂直的數據線74、位于柵線72和數據線74的交點處薄膜晶體管(TFT,Thin?Film?Transistor)開關79,所述TFT開關79的源極與數據線74相連,TFT開關79的柵極與柵線72相連,TFT的漏極與像素電極78相連,其中,TFT的漏極通常通過漏極連接件80(參考圖2中點填充部)與像素電極78相連。在顯示過程中,向柵線72提供掃描信號,使TFT開關79的源極和漏極之間連通,之后向數據線74提供像素電壓信號,像素電壓信號通過TFT的源極輸入至漏極,施加于像素電極78上,用于產生控制液晶分子偏轉的平面電場。
通常,像素電極78為一組按序排列的條狀電極,所述條狀電極的端部70產生第一電場E1,條狀電極中間部產生第二電場E2,所述第一電場E1與第二電場E2的方向有所不同,如圖2所示,第一電場E1沿水平方向,第二電場E2的方向接近豎直方向。由于條狀電極端部71產生第一電場E1與第二電場E2方向不同,那么,第一電場E1與第二電場E2使液晶分子的偏轉方向也有所不同,這使液晶顯示裝置在條狀電極端部71處容易發生漏光現象,而漏光現象會導致液晶顯示裝置對比度下降,從而使顯示效果較差。
FFS模式的液晶顯示裝置還包括位于柵線、數據線及TFT開關上方的黑框87,所述黑框87通常用于遮光,以提高對比度。現有技術中,采用較寬的黑框87,以遮擋條狀電極端部71造成的漏光。但是,較寬的黑框87減小了像素單元的透光區域,從而大大減小了液晶顯示裝置的開口率。
發明內容
本發明解決的是改善液晶顯示裝置開口率較低的問題。
為解決上述問題,本發明提供一種像素單元,包括:數據線、柵線、TFT開關、像素電極、公共電極以及漏極連接件;所述數據線,連接于TFT開關的源極,用于提供像素電壓;所述柵線,連接于TFT開關的柵極,用于提供導通TFT開關源極和漏極的掃描信號;所述像素電極,連接于TFT開關的漏極,用于和公共電極形成控制液晶分子在水平面內偏轉的電場;所述漏極連接件,用于實現TFT開關的漏極與像素電極的電連接;其中,所述像素電極為條狀電極,所述漏極連接件連接于像素電極的中間部,所述像素電極的端部與數據線在透光方向上具有交疊區域。
可選地,還包括第一絕緣層和第二絕緣層,所述第一絕緣層覆蓋于數據線、漏極連接件上,公共電極位于所述第一絕緣層上,第二絕緣層覆蓋于公共電極上,像素電極位于第二絕緣層上,其中,所述像素電極的端部位于數據線上方。
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