[發明專利]像素單元和液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201010203756.8
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN102279493A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 霍思濤;凌志華
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種像素單元，其特征在于，包括：數據線、柵線、TFT開關、像素電極、公共電極以及漏極連接件；

所述數據線，連接于TFT開關的源極，用于提供像素電壓；

所述柵線，連接于TFT開關的柵極，用于提供導通TFT開關源極和漏極的掃描信號；

所述像素電極，連接于TFT開關的漏極，用于和公共電極形成控制液晶分子在水平面內偏轉的電場；

所述漏極連接件，用于實現TFT開關的漏極與像素電極的電連接；其中，

所述像素電極為條狀電極，所述漏極連接件連接于像素電極的中間部，所述像素電極的端部與數據線在透光方向上具有交疊區域。

2.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋于數據線、漏極連接件上，公共電極位于所述第一絕緣層上，第二絕緣層覆蓋于公共電極上，像素電極位于第二絕緣層上，其中，所述像素電極的端部位于數據線上方。

3.如權利要求2所述的像素單元，其特征在于，像素電極的端部位于數據線中心線的上方。

4.如權利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度大于2.5μm。

5.如權利要求3所述的像素單元，其特征在于，所述漏極連接件通過貫穿所述第一絕緣層、公共電極和第二絕緣層的過孔與像素電極相連。

6.如權利要求5所述的像素單元，其特征在于，所述過孔設置在像素電極的下方。

7.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述像素電極呈彎折狀，所述漏極連接件連接于彎折狀像素電極的拐點處。

8.如權利要求7所述的像素單元，其特征在于，所述漏極連接件為不透光的導電材料。

9.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述漏極連接件為透光的導電材料。

10.一種包括權利要求1～9任一項所述的像素單元的液晶顯示裝置。

11.如權利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括第一像素單元和與所述第一像素單元相鄰的第二像素單元，所述第一像素單元包括第一像素電極，所述第二像素單元包括第二像素電極，所述第一像素電極與所述第二像素電極與同一數據線有交疊區域，所述第一像素電極和第二像素電極在數據線延伸方向上交替排布。