[發明專利]半導體封裝的制造方法及其基板的制造方法無效
| 申請號: | 201010203280.8 | 申請日: | 2010-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN101930936A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發明(設計)人: | 宮崎雅志 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 制造 方法 及其 | ||
1.一種半導體封裝的制造方法,包括:
基板形成步驟,形成安裝半導體芯片的基板;以及
芯片安裝步驟,在所述基板上經由連接凸塊安裝所述半導體芯片;
所述基板形成步驟包括:
第一步驟,在支撐板的一部分上形成多個電極焊盤,該電極焊盤與所述連接凸塊接合;
第二步驟,在包含所述電極焊盤的所述支撐板上隔著絕緣層形成一層以上的布線層,從而形成在一個面上形成了所述電極焊盤的所述基板;以及
第三步驟,從所述支撐板除下形成在所述支撐板上的所述基板;
在所述第一步驟之前,在所述支撐板上形成多個第一凸部,
在所述第一步驟中,在各所述第一凸部上形成各所述電極焊盤。
2.如權利要求1所述的半導體封裝的制造方法,其中,
所述第一凸部的形狀形成為截面視圖呈梯形。
3.如權利要求1所述的半導體封裝的制造方法,其中,
所述第一凸部的形狀形成為截面視圖呈階梯形。
4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體封裝的制造方法,其中,
所述第一凸部的直徑形成為比所述電極焊盤的直徑大。
5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體封裝的制造方法,其中,
在所述支撐板的各所述第一凸部之間形成第二凸部。
6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體封裝的制造方法,其中,
通過蝕刻來形成所述第一凸部。
7.如權利要求1至5中任一項所述的半導體封裝的制造方法,其中,
通過沖壓加工來形成所述第一凸部。
8.一種基板的制造方法,包括:
第一步驟,在支撐板的一部分上形成多個電極焊盤,該電極焊盤與連接凸塊接合;
第二步驟,在包含所述電極焊盤的所述支撐板上隔著絕緣層形成一層以上的布線層,從而形成在一個面上形成了所述電極焊盤的所述基板;以及
第三步驟,從所述支撐板除下形成在所述支撐板上的所述基板;
在所述第一步驟之前,在所述支撐板上形成多個第一凸部,
在所述第一步驟中,在各所述第一凸部上形成各所述電極焊盤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





