[發明專利]一種半導體裝置

有效

• 申請號: 201010202456.8
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN102280477A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 黃學義;李明東;吳錫垣
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種適用于相當高的電壓施加的半導體裝置，其特征在于，包括：

一襯底；

一第一N型阱區域，位于該襯底中，用以作為供該半導體裝置用的一高電壓n阱HVNW；

一對第二N型阱區域，位于該第一N型阱區域中；

一P型區域，位于該對第二N型阱區域之間的該第一N型阱區域中；

一對導電區域，位于該對第二N型阱區域之間的該襯底上；以及

多個N型區域，用以作為供該半導體裝置用的多個N型埋入層NBL，其中該多個NBL位于該第一N型區域的下方并被分散在該襯底中。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個NBL被均勻地配置在該第一N型阱區域之下的該襯底中。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個NBL包括：多個第一NBL，位于該P型區域之下；以及多個第二NBL，位于在該P型區域與各該第二N型阱區域之間的一區域之下。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該多個第一NBL是以一第一密度被配置，而該多個第二NBL是以一第二密度被配置，該第一密度大于該第二密度。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，更包括多個第三NBL，位于該第一N型阱區域的該周邊與各該第二N型阱區域之間的一區域之下，其中該多個第三NBL是以一第三密度被配置，該第三密度小于該第一密度。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，更包括多個第三NBL，位于該第一N型阱區域的該周邊與各該第二N型阱區域之間的一區域之下，其中該多個第三NBL是以一第三密度被配置，該第三密度小于該第二密度。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，各該第一NBL具有一第一濃度且各該第二NBL具有一第二濃度，該第一濃度大于該第二濃度。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，更包括多個第三NBL，位于該第一N型阱區域的該周邊與各該第二N型阱區域之間的一區域之下，其中各該第三NBL具有一第三濃度，該第三濃度小于該第一濃度。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，更包括多個第三NBL，位于該第一N型阱區域的該周邊與各該第二N型阱區域之間的一區域之下，其中各該第三NBL具有一第三濃度，該第三濃度小于該第二濃度。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該對第二N型阱區域作為多個漏極區域，且該P型區域更包括一對N型區域以及一P型區域，作為源極區域。