[發明專利]一種去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法有效
| 申請號: | 201010201550.1 | 申請日: | 2010-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN101882569A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發明(設計)人: | 華建南 | 申請(專利權)人: | 常州銀河電器有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 常州市天龍專利事務所有限公司 32105 | 代理人: | 王淑勤 |
| 地址: | 213022 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 二極管 三極管 引線 框架 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法。
背景技術
在電子產業界,二極管或三極管已成為各種電子產品的基本元件,而現有的二極管或三極管經模壓固化工序處理后,通常用堿性液并加熱去除殘留在二極管或三極管的引線及框架上的環氧樹脂塑封料膦通常稱作溢料),其具體操作是:將經模壓固化工序處理后的二極管或三極管放入由磷酸三鈉、碳酸氫鈉、氫氧化鈉和水按照一定比例組成的混合溶液中,加熱到80~90℃后浸煮30~45分鐘。然而此種方法存在下述缺點:①由于該混合溶液含有Na+離子,而去除該離子難度高,因此,在去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料后,容易造成二極管或三極管電性能衰變;②由于此方法采用堿性液并需要加熱,這樣在去除溢料期間,會使二極管或三極管的管身上的環氧樹脂塑封體的表面顏色改變,影響產品的外觀;③由于在二極管或三極管上還可能殘留堿性液,無法與隨后用酸性溶液進行鍍錫的工序相互匹配,鍍錫質量及產品的可靠性都會降低。
發明內容
本發明的目的是:提供一種操作方法簡單、效果佳,且可靠性高的去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法。
實現本發明目的的技術方案是:一種去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法,用混合酸液在常溫下浸泡二極管或三極管的引線及框架上的溢料,再經水沖洗即可清除溢料;
所述混合酸液是由乙酸、工業硫酸和水組成,其乙酸∶工業硫酸∶水的體積比為8~12∶8~12∶76~84;
所述溢料是指經模壓固化工序處理后,殘留在二極管或三極管的引線及框架上的環氧樹脂塑封料。
上述方法中,組成所述混合酸液的乙酸的濃度為97.5~99.5質量%,工業硫酸的濃度為96.0~98.0質量%。
上述方法中,所述再經水沖洗是采用加壓水沖洗,加壓水的壓力為0.3~0.5MPa。
上述方法中,所述在常溫下浸泡是指浸泡時混合酸液的溫度為常溫。
上述方法中,所述常溫為5~30℃。
上述方法的具體實施步驟如下:
①配制混合酸液
按乙酸∶工業硫酸∶水的體積比為8~12∶8~12∶76~84準備濃度為97.5~99.5質量%的乙酸、濃度為96.0~98.0質量%的工業硫酸和水,在配制槽內先加入水,然后攪拌下加入乙酸,最后加入工業硫酸,攪拌均勻,備用;
②去除溢料
在容器內放入按步驟①配制的混合酸液,然后放入經模壓固化工序處理后的二極管或三極管并使混合酸液浸沒二極管或三極管的引線及框架,在混合酸液的溫度為5~30℃下浸泡4~6小時后,取出二極管或三極管采用壓力為0.3~0.5MPa的加壓水沖洗即可清除溢料。
本發明的技術效果是:本發明技術方案采用由乙酸、工業硫酸和水按照一定比例配制成的混合酸液去除模壓固化后二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法與現有用堿性液去除溢料的方法比較,由于本發明的混合酸液不含Na+離子,浸泡后二極管或三極管電性能沒有衰變;由于采用常溫下浸泡,所以二極管或三極管的管身上的環氧樹脂塑封體的表面無異色,客戶滿意度高;由于采用混合酸液與隨后的酸性鍍錫工藝匹配性強,鍍錫前無需清洗,且二極管或三極管的鍍錫質量以及可靠性得到提高,效果佳。本發明的操作方法簡單,而且成本低。
具體實施方式
以下結合實施例對本發明作進一步的詳細說明,但不局限于此。
實施例所用原料除另有說明外,均為半導體行業常規使用的原料且均為市售品。
本發明的去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法,具體實施步驟如下:
①配制混合酸液
按乙酸∶工業硫酸∶水的體積比為8~12∶8~12∶76~84準備濃度為97.5~99.5質量%的乙酸、濃度為96.0~98.0質量%的工業硫酸和水,在配制槽內先加入水,然后攪拌下加入乙酸,最后加入工業硫酸,攪拌均勻,備用;
②去除溢料
在容器內放入按步驟①配制的混合酸液,然后放入經模壓固化工序處理后的二極管或三極管并使混合酸液浸沒二極管或三極管的引線及框架,在混合酸液的溫度為5~30℃下浸泡4~6小時后,取出二極管或三極管采用壓力為0.3~0.5MPa的加壓水沖洗即可清除溢料。
實施例
①配制混合酸液
按乙酸∶工業硫酸∶水的體積比為10∶10∶80準備濃度為99.5質量%的乙酸、濃度為98.0質量%的工業硫酸和水,在配制槽內先加入水,然后攪拌下加入乙酸,最后加入工業硫酸,攪拌均勻,備用;
②去除溢料
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





