[發明專利]一種去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法有效
| 申請號: | 201010201550.1 | 申請日: | 2010-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN101882569A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發明(設計)人: | 華建南 | 申請(專利權)人: | 常州銀河電器有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 常州市天龍專利事務所有限公司 32105 | 代理人: | 王淑勤 |
| 地址: | 213022 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 二極管 三極管 引線 框架 方法 | ||
1.一種去除二極管或三極管的引線及框架上的溢料的方法,其特征在于,用混合酸液在常溫下浸泡二極管或三極管的引線及框架上的溢料,再經水沖洗即可清除溢料;
所述混合酸液是由乙酸、工業硫酸和水組成,其乙酸:工業硫酸∶水的體積比為8~12∶8~12∶76~84;
所述溢料是指經模壓固化工序處理后,殘留在二極管或三極管的引線及框架上的環氧樹脂塑封料。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,組成所述混合酸液的乙酸的濃度為97.5~99.5質量%,工業硫酸的濃度為96.0~98.0質量%。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述再經水沖洗是采用加壓水沖洗,加壓水的壓力為0.3~0.5MPa。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在常溫下浸泡是指浸泡時混合酸液的溫度為常溫。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述常溫為5~30℃。
6.根據權利要求1或2或3或4或5所述的方法,其特征在于,具體實施步驟如下:
①配制混合酸液
按乙酸∶工業硫酸∶水的體積比為8~12∶8~12∶76~84準備濃度為97.5~99.5質量%的乙酸、濃度為96.0~98.0質量%的工業硫酸和水,在配制槽內先加入水,然后攪拌下加入乙酸,最后加入工業硫酸,攪拌均勻,備用;
②去除溢料
在容器內放入按步驟①配制的混合酸液,然后放入經模壓固化工序處理后的二極管或三極管并使混合酸液浸沒二極管或三極管的引線及框架,在混合酸液的溫度為5~30℃下浸泡4~6小時后,取出二極管或三極管采用壓力為0.3~0.5MPa的加壓水沖洗即可清除溢料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州銀河電器有限公司,未經常州銀河電器有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010201550.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種加熱塊裝置
- 下一篇:一種實現移動動漫的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





