[發(fā)明專利]銀納米線陣列電極及其制備方法和用途

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010201330.9
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN102267682A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫利;許偉;張立德;黃竹林;袁志剛;張俊喜;劉思思
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;B82B3/00;G01N27/403;C25D11/12;C23C14/24;C23C14/18
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1.一種銀納米線陣列電極，包括銀納米線陣列和其底部的銀膜，其特征在于：

所述構(gòu)成陣列的銀納米線的線直徑為50～70nm、線長度為250～350nm；

所述銀納米線陣列底部的銀膜之下覆有銅膜，所述銀膜的厚度為130～170nm，所述銅膜的厚度為0.5～1mm。

2.一種權(quán)利要求1所述銀納米線陣列電極的制備方法，包括二次陽極氧化法，其特征在于完成步驟如下：

步驟1，先對鋁片使用二次陽極氧化法獲得孔直徑為50～70nm的通孔氧化鋁模板，再使用離子濺射法于氧化鋁模板的一面蒸鍍銀膜，得到一面帶有銀膜的氧化鋁模板；

步驟2，先將一面帶有銀膜的氧化鋁模板置于銀電解液中，使用電沉積法于0.08～0.12V的恒定電壓下電沉積1～5min，再將其置于銅電解液中，使用電沉積法于8～12mA/cm²的電流下電沉積2.5～3.5h，得到孔洞中置有銀納米線、一面依次覆有銀膜和銅膜的氧化鋁模板；

步驟3，將孔洞中置有銀納米線、一面依次覆有銀膜和銅膜的氧化鋁模板置于酸溶液或強(qiáng)堿溶液中腐蝕掉氧化鋁模板，制得銀納米線陣列電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀納米線陣列電極的制備方法，其特征是通孔氧化鋁模板的獲得為，先將鋁片置于濃度為0.3M的草酸溶液中，于直流電壓為40V下陽極氧化5.5～6.5h，再將其置于60℃的6wt％的磷酸和1.8wt％的鉻酸混合溶液中浸泡10h，接著，將其再次于同樣的工藝條件下進(jìn)行第二次陽極化9.5～10.5h后，先用氯化銅溶液或氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，再用5wt％的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀納米線陣列電極的制備方法，其特征是銀電解液為10g/L的AgNO₃和30g/L的H₃BO₃的混合液。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀納米線陣列電極的制備方法，其特征是銅電解液為30g/L的CuSO₄和60g/L的H₃BO₃的混合液。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀納米線陣列電極的制備方法，其特征是酸溶液為濃度為4～6wt％的磷酸溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銀納米線陣列電極的制備方法，其特征是腐蝕掉氧化鋁模板時(shí)的溫度為38～42℃，時(shí)間為3.5～4.5h。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀納米線陣列電極的制備方法，其特征是強(qiáng)堿溶液為氫氧化鈉溶液，或氫氧化鉀溶液，或氫氧化鋰溶液。

9.一種權(quán)利要求1所述銀納米線陣列電極的用途，其特征在于：

將銀納米線陣列電極作為敏感元件，通過在循環(huán)伏安測試中的還原峰的峰電流、峰電位來檢測或還原鹵族有機(jī)物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的銀納米線陣列電極的用途，其特征是鹵族有機(jī)物為氯丙醇，或氯苯，或氯苯酚，或溴苯。