[發明專利]涂敷裝置和涂敷方法

有效

• 申請號: 201010201264.5
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN101920235A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 小菅忠男;前原信二;川隅幸宏;圓山勇;石田茂
• 申請（專利權）人: 株式會社日立工業設備技術
• 主分類號: B05B13/02
• 分類號: B05B13/02;B05C5/02;B05C13/00;G02F1/1339;B05D7/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李洋

技術領域

本發明涉及液晶面板等平面板的制造，特別涉及向基板上實施密封材料等的涂敷、液晶滴下涂敷的涂敷裝置和涂敷方法。

背景技術

制造液晶面板等的已往技術，作為其一個例子提出了制造液晶面板的裝置(例如見專利文獻1)，該裝置備有在真空狀態下實施處理的多個真空處理室、和在大氣壓狀態下實施處理的多個大氣處理室，在這些真空處理室之間、大氣壓處理室之間、真空處理室與大氣壓處理室之間，分別設有用于運送玻璃基板的與外部隔絕的機械手室，在這些處理室間運送玻璃基板時，機械手室的機械手把玻璃基板從一個處理室自動地運送到另一個處理室。

根據該已往的技術，直到玻璃基板成為液晶面板的處理都不介入人手，全部自動地處理，所以，幾乎沒有顆粒污染、分子污染。

另外，作為另一個例子提出了如下技術：在真空腔室內設有定位裝置，把基板設置于該定位裝置，將密封材料涂敷在基板上，把這樣涂敷了密封材料的基板與另一基板這兩個基板貼合，使密封材料硬化，最后注入液晶，在用該順序制造面板時，在基板上形成密封材料的涂敷作業是在低于大氣壓的壓力下進行的，另外，將兩個基板貼合的作業是在大氣壓以下的壓力下進行的(例如見專利文獻2)。

根據該已往的技術，在低于大氣壓的壓力下進行密封材料的涂敷、兩塊基板的貼合，所以，可以減少混入密封材料內的氣泡，從而可減少由該氣泡導致的切割不良、間隙不良、或液晶注入不良等問題，減少在基板周圍揚起的灰塵等異物，也減少因異物引起的面板不良。

[專利文獻1]日本特開平6-324297號公報

[專利文獻2]日本特開平2001-13507號公報

發明內容

在LCD(液晶面板)等的平面板領域中，玻璃基板的尺寸的大型化急速地逐年推進，隨之，其制造裝置也大型化。另外，為了降低制造成本，要求減少在制造裝置內部、周邊揚起的灰塵，提高成品率，同時，要求抑制每一塊面板的制造時間。

在上述專利文獻1記載的已往技術中，從玻璃基板制造面板時，在將玻璃基板從大氣壓處理室運送到真空處理室時，從大氣壓狀態到真空狀態的真空形成時間是損失的時間，因此，存在總的制造時間增加的問題。

在上述專利文獻2記載的已往技術中，在真空腔室內進行涂敷作業、基板的貼合作業時，往真空腔室內的組入、取出是由人手、機械手等進行的，由于被人手、機械手等保持著的基板上下動作等，周圍的空氣產生大的流動，灰塵隨著該空氣揚起。另外，不采用同一真空腔室而將具有不同功能的多臺裝置并排來制造面板時，在移交作為對象工件的玻璃基板時，也同樣地，如果使用機械手等，則由于被機械手等保持著的玻璃基板的動作而引起周圍空氣的大流動，隨著周圍的空氣流動，灰塵揚起。如果產生這樣的灰塵揚起，則灰塵附著在面板上，提高了成為次品的概率。

另外，在上述專利文獻2記載的技術中，作為第1例，在真空環境下進行涂敷作業時，在真空中涂敷了密封材料后暫時向大氣開放，散布間隔件，對進行了點附接的紫外線硬化樹脂照射紫外線而臨時定位，并將兩塊基板貼合。然后，從定位裝置中取出臨時固定著的基板，放入另外準備的尼龍袋內，將袋內減壓，即，再度成為真空，這樣，對兩塊基板加壓。然后加熱，使涂敷的密封材料硬化，將兩塊基板粘接。最后，從袋中取出，即再次開放為大氣壓狀態，在大氣壓中，封入液晶材料，制造液晶面板。因此，從密封材料的涂敷到液晶面板完成，采用經過兩次真空狀態、開放為兩次大氣壓狀態的制造順序。

另外，作為第2例，在真空環境中進行貼合作業時，在大氣壓中涂敷了密封材料后，散布間隔件，對進行了點附接的紫外線硬化樹脂照射紫外線而臨時固定，并在真空中將兩塊基板貼合。然后，朝大氣壓狀態開放，從定位裝置中取出基板，用真空包裝法、即再次成為真空狀態，由此對兩塊基板加壓。接著，在該真空包裝狀態下加熱，使先前涂敷的密封材料硬化，將兩塊基板粘接。最后，從袋中取出，即再次開放為大氣壓狀態，在大氣壓中封入液晶材料，制造成液晶面板。該例中也與上述同樣地，從密封材料的涂敷到液晶面板的完成，采用經過兩次真空狀態、開放為兩次大氣壓狀態的制造順序。

結果，無論第1例還是第2例，為了抑制氣泡混入密封材料中，從密封材料涂敷到貼合的工序的涂敷作業、或貼合作業的任一方，都是在真空中進行的。但是，實際上，液晶注入前，在用熱硬化樹脂一邊加壓一邊壓接時再次成為真空狀態，需要用于形成真空環境的時間。