[發明專利]微電子機械開關電介質注入的測試結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201010200408.5
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN101887105A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 廖小平;周易
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G01R31/327
• 分類號: G01R31/327;H01P3/00;B81C99/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種微電子機械開關電介質注入的測試結構，其特征在于該測試結構具有進行可比較性測試的兩個相同的梁結構，該兩個相同的梁結構具有獨立的驅動電極；

在電橋結構中，兩個梁結構相連組成電橋的兩個相鄰的電橋臂且共用一個信號輸入端，兩個可變電阻相連組成電橋的另兩個相鄰電橋臂且共用一個信號輸出端，兩個梁結構分別與兩個可變電阻相串連形成電橋結構；

在機械結構上，CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁結構(c)設置在同一塊襯底(1)上：

CPW(a)由CPW信號線(3)和CPW地線(4)構成；

梁結構(c)包括兩個完全一樣的梁結構，梁結構是固支梁(11)，或是懸臂梁(12)，固支梁(11)橫跨在CPW(a)上，兩個錨區(13)分別位于CPW的兩個地線(4)上，固支梁(11)下面的CPW信號線(3)被氮化硅介質層(10)覆蓋，而懸臂梁(12)則為插入式，即CPW信號線(3)除去一段，梁的錨區(13)位于CPW信號線(3)斷開的一端，梁的接觸端懸空但與CPW信號線(3)斷開的另一端交疊；驅動電極(14)上覆蓋氮化硅介質層(10)，固支梁結構的兩個驅動電極(14)位于CPW信號線(3)與CPW的地線(4)的空隙上，而懸臂梁結構的驅動電極(14)位于CPW信號線(3)的斷開處；驅動電極的引線(15)從CPW地線(4)的斷開處引出，而CPW地線(4)的斷開處用空氣橋(16)連接。

2.一種如權利要求1所述的微電子機械開關電介質注入的測試結構的制備方法，其特征在于制備方法為：

1)準備砷化鎵襯底(1)：選用的是外延的半絕緣砷化鎵，

2)淀積氮化鉭，

3)光刻并刻蝕氮化鉭，形成一分二功率分配器(b)的隔離電阻，即氮化鉭薄膜電阻(2)，

4)光刻；去除在CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁結構和靜電驅動電極(14)以其引線(15)的光刻膠，

5)濺射金，剝離去除光刻膠，形成CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁結構和靜電驅動電極(14)以其引線(15)，金的厚度為0.3μm，

6)淀積氮化硅介質層(10)：用等離子體增強化學氣相淀積法工藝生長1000的氮化硅介質層(10)，

7)光刻并刻蝕氮化硅介質層(10)：保留靜電驅動電極(14)的氮化硅和空氣橋(16)下方驅動電極引線(15)的上的氮化硅；對于固支梁結構，則要另外保留固支梁(11)下面CPW信號線(3)的氮化硅，

8)淀積并光刻聚酰亞胺犧牲層：在砷化鎵襯底(1)上涂覆1.6μm厚的聚酰亞胺犧牲層，要求填滿凹坑，聚酰亞胺犧牲層的厚度決定了梁與氮化硅介質層(10)所在平面的距離，光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留梁下方和空氣橋(16)下方的犧牲層。對于懸臂梁(12)，要另外刻蝕犧牲層以便形成觸點(17)，

9)濺射鈦/金/鈦：濺射用于CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁和空氣橋(16)的底金鈦/金/鈦＝500/1600/300

10)光刻鈦/金/鈦：去除CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁和空氣橋(16)以外的光刻膠，

11)電鍍金：電鍍金的厚度為2μm，

12)去除光刻膠，

13)反刻金層，腐蝕底金層，形成CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁和空氣橋(16)，

14)釋放犧牲層；用顯影液溶解梁結構和空氣橋(16)下方的聚酰亞胺犧牲層，并用無水乙醇脫水，形成懸浮的梁結構和空氣橋(16)。