[發明專利]半導體器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201010198590.5
• 申請日: 2010-06-07
• 公開（公告）號: CN101908515A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 村上智博
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;鄭菊

1.一種半導體器件，包括：

具有多個表面電極的半導體芯片；

在其上安裝有半導體芯片的管芯焊盤；

圍繞所述半導體芯片布置的多條內部引線；

電氣地耦合所述半導體芯片的表面電極與相應的內部引線的多條接線；

將所述半導體芯片、所述內部引線，以及所述接線各自模制于其中的模制體；

一體地耦合到相應的內部引線，并且從所述模制體暴露的多條外部引線；以及

形成于每條所述外部引線的表面上方的外部鍍層，

其中所述外部鍍層具有形成于期望的條件之下的第一無鉛鍍層，以及具有與所述第一無鉛鍍層的構成相同的系統構成的第二無鉛鍍層，以及

其中所述第一無鉛鍍層與所述第二無鉛鍍層是層疊的。

2.依照權利要求1的半導體器件，

其中每條所述外部引線由鐵-鎳合金制成。

3.依照權利要求2的半導體器件，

其中所述外部鍍層為錫-銅鍍層。

4.依照權利要求3的半導體器件，

其中銀鍍層形成于每個所述內部引線的接線鍵合部分上方。

5.依照權利要求1的半導體器件，

其中所述第一無鉛鍍層是通過施加密度高于形成所述第二無鉛鍍層時施加的電流密度的電流而形成的鍍層。

6.依照權利要求5的半導體器件，

其中所述第一無鉛鍍層在外部鍍層的厚度方向上更接近于每條引線布置。

7.依照權利要求5的半導體器件，

其中所述第一無鉛鍍層在外部鍍層的厚度方向上以插入的關系布置于所述第二無鉛鍍層之間。

8.依照權利要求5的半導體器件，

其中所述第一無鉛鍍層在其厚度方向上更接近于所述外部鍍層的表面布置。

9.一種制備半導體器件的方法，包括步驟：

(a)準備由覆蓋半導體芯片的模制體形成的引線框；以及

(b)將所述引線框放置于包括獨立地耦合到不同的整流器的第一鍍覆單元和第二鍍覆單元的鍍覆裝置之中，并且關于從所述引線框的模制體暴露的多條外部引線執行無鉛鍍覆處理，

其中在步驟(b)中，隨著所述引線框被浸入到第一無鉛鍍覆溶液而施加第一密度電流于所述第一鍍覆單元之中以關于所述外部引線執行第一無鉛鍍覆處理，而隨后隨著所述引線框被浸入到具有與第一無鉛鍍覆溶液的構成相同的系統構成的第二無鉛鍍覆溶液而施加密度不同于第一密度電流的密度的第二密度電流于所述第二鍍覆單元之中以關于所述外部引線執行第二無鉛鍍覆處理。

10.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中，在步驟(b)之前，引線框受到化學拋光。

11.依照權利要求10的制備上述半導體器件的方法，

其中，在化學拋光之后和步驟(b)之前，引線框由與在形成所述第一無鉛鍍覆溶液時所使用的酸相同的酸清洗。

12.依照權利要求11的制備上述半導體器件的方法，

其中使用在所述第一鍍覆單元中的所述第一無鉛鍍覆溶液與使用在所述第二鍍覆單元中的所述第二無鉛鍍覆溶液是相同的。

13.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中施加在所述第二鍍覆單元中的第二密度電流的密度低于施加在所述第一鍍覆單元中的第一密度電流的密度。

14.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中所述第一鍍覆單元與所述第二鍍覆單元放置在同一個鍍覆容器之中。

15.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中所述第一鍍覆單元與所述第二鍍覆單元放置在不同的鍍覆容器之中。

16.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中所述引線框由鐵-鎳合金制成。

17.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中無鉛鍍層為錫-銅鍍層。

18.依照權利要求9的制備上述半導體器件的方法，

其中銀鍍層形成于提供在所述引線框內的每個內部引線的接線鍵合部分上方。

19.一種制備半導體器件的方法，包括步驟：

(a)準備具有管芯焊盤、圍繞所述管芯焊盤布置的多條內部引線，以及一體地耦合到相應的內部引線的多條外部引線的薄片狀引線框；

(b)將半導體芯片安裝在所述管芯焊盤上方；

(c)使用接線電氣地耦合所述半導體芯片的多個電極焊盤到相應的內部引線；

(d)將所述半導體芯片、所述內部引線，以及所述接線模制入模制體中；

(e)將由所述模制體所形成的所述引線框放置于包括獨立地耦合到不同的整流器的第一鍍覆單元和第二鍍覆單元的鍍覆裝置之中，并且關于從所述模制體暴露的所述外部引線執行無鉛鍍覆處理；以及

(f)將所述外部引線從所述引線框切割/分離以執行分割，

其中，在步驟(e)中，隨著所述引線框被浸入到第一無鉛鍍覆溶液而施加第一密度電流于所述第一鍍覆單元之中以關于所述外部引線執行第一無鉛鍍覆處理，而隨后隨著所述引線框被浸入到具有與第一無鉛鍍覆溶液的構成相同的系統構成的第二無鉛鍍覆溶液而施加密度不同于第一密度電流的密度的第二密度電流于所述第二鍍覆單元之中以關于所述外部引線執行第二無鉛鍍覆處理。