[發明專利]存儲器元件

有效

• 申請號: 201010198452.7
• 申請日: 2010-06-07
• 公開（公告）號: CN101989604A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L23/528
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種存儲器元件，包括：

一多端口靜態隨機存取存儲器單元；

一第一位線導體、一第一互補位線導體、一第二位線導體、及一第二互補位線導體，耦接至該靜態隨機存取存儲器單元的存取端口；

一第一字線導體及一第二字線導體，耦接至該靜態隨機存取存儲器單元的存取端口；以及

一Vdd電源供應導體及四個Vss電源供應導體，耦接至該靜態隨機存取存儲器單元，

其中，所述位線導體及所述電源供應導體平行設置于一第一共同金屬化層之中，在該第一共同金屬化層中，該Vdd電源供應導體在所述導體之中是位于中心的，所述位線導體中的一第一對，位于該Vdd電源供應導體的一第一側上，所述位線導體中的一第二對，位于該Vdd電源供應導體的一第二側上，該四個Vss電源供應導體中的一第一個及一第二個是鄰接該Vdd電源供應導體而設置，分別位于該Vdd電源供應導體的該第一側及該第二側上，一第三Vss電源供應導體設置于所述位線導體的該第一對的位線導體之間，及一第四Vss電源供應導體設置于所述位線導體的該第二對的位線導體之間。

2.如權利要求1所述的存儲器元件，其中所述位線導體中的該第一對包括該第一位線導體及該第二位線導體，而所述位線導體中的該第二對包括該第一互補位線導體及該第二互補位線導體。

3.如權利要求1所述的存儲器元件，其中所述字線導體形成于一第二共同金屬化層之中，該第二共同金屬化層形成于該第一金屬化層之上。

4.如權利要求3所述的存儲器元件，還包括一第三共同金屬化層，設置于該第一共同金屬化層之下，該第一共同金屬化層包括在該靜態隨機存取存儲器單元中形成區域內單元連接的導體。

5.一種存儲器元件，包括：

一多端口靜態隨機存取存儲器單元的陣列，排列成排與行，每一靜態隨機存取存儲器單元包括：

互耦的一第一及一第二反相器，具有一數據存儲節點及一數據帶存儲節點，每一該第一及該第二反相器均包括一上拉晶體管及一下拉元件，其中每一該下拉元件包括至少一對下拉晶體管，具有共同連接的源極端、漏極端、及柵極端；以及

一第一及一第二存取端口，耦接至一第一及一第二字線導體，每一該第一及該第二存取端口包括耦接至該數據存儲節點的一第一傳輸柵晶體管及耦接至該數據帶存儲節點的一第二傳輸柵晶體管，每一該第一及該第二傳輸柵晶體管均耦接至對應的一第一位線導體、一第一互補位線導體、一第二位線導體、及一第二互補位線導體；

其中，每一所述靜態隨機存取存儲器單元耦接至一Vdd電源供應導體及四個Vss電源供應導體，

其中，該位線導體及所述電源供應導體平行設置于一第一共同金屬化層中，在該第一共同金屬化層中，該Vdd電源供應導體在所述導體之中是位于中心的，所述位線導體中的一第一對，位于該Vdd電源供應導體的一第一側上，所述位線導體中的一第二對，位于該Vdd電源供應導體的一第二側上，該四個Vss電源供應導體中的一第一個及一第二個是鄰接該Vdd電源供應導體而設置，分別位于該Vdd電源供應導體的該第一側及該第二側上，一第三Vss電源供應導體設置于所述位線導體的該第一對的位線導體之間，及一第四Vss電源供應導體設置于所述位線導體的該第二對的位線導體之間。

6.如權利要求5所述的存儲器元件，其中該第一反相器的所述下拉晶體管形成在一第一有源區中，該第二反相器的所述下拉晶體管形成在一第二有源區中，耦接至該數據存儲節點的所述第一傳輸柵晶體管形成在一第三有源區中，以及耦接至該數據帶存儲節點的所述第二傳輸柵晶體管形成在一第四有源區中。

7.如權利要求6所述的存儲器元件，其中該第一反相器的該上拉晶體管位于一第五有源區中，而該第二反相器的該上拉晶體管位于一第六有源區中。

8.如權利要求6所述的存儲器元件，其中該第一、該第二、該第三、及該第四有源區在該陣列中延伸跨越多個所述靜態隨機存取存儲器單元。

9.如權利要求6所述的存儲器元件，其中：

該第一反相器的所述下拉晶體管的所述柵極端與該第一反相器的該上拉晶體管的一柵極端借由一第一共同柵極線而耦接在一起；以及

該第二反相器的所述下拉晶體管的所述柵極端與該第二反相器的該上拉晶體管的一柵極端借由一第二共同柵極線而耦接在一起。