[發明專利]一種鈉循環法生產太陽能級多晶硅的工藝方法無效
| 申請號： | 201010198097.3 | 申請日： | 2010-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN102267697A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 劉新林 | 申請（專利權）人： | 劉新林 |
| 主分類號： | C01B33/033 | 分類號： | C01B33/033;C01D3/02;C01B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221000 江蘇省徐州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 循環 生產 太陽 能級 多晶 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鈉循環法生產太陽能級多晶硅的工藝方法，其特征是：將氟硅酸鈉Na2SiF6放入反應器，以300℃-800℃的溫度加熱分解1-5小時，生成四氟化硅SiF4氣體和副產品氟化鈉NaF，氟化鈉NaF冷卻成為固體后可以賣出；將高純度金屬鈉Na在反應器中，加高溫800℃-1000℃汽化成鈉Na蒸汽；同時使四氟化硅SiF4氣體和高純度鈉Na蒸汽按1∶4反應式量比沿管道進入反應爐，生成高純度硅粉；高純度硅粉進入第一收集器，控制溫度在1000℃-1600℃之間，將粉末狀高純度硅Si高溫熔融成塊，制成多晶硅成品；其它混合氣體進入第二收集器，通過控制溫度在800℃-100℃，使氟化鈉NaF和未反應的鈉Na沉積，再將氟化鈉NaF和鈉Na加熱分離，氟化鈉NaF作為副產品賣出；其它混合氣體進入第三收集器，降溫到10℃-0℃冷卻，收集剩余的四氟化硅SiF4氣體，加水溶解成氟硅酸H2SiF6溶液賣出；剩余的物質噴淋處理。
2.根據權利要求1所述一種鈉循環法生產太陽能級多晶硅的工藝方法，其特征是：鈉Na循環使用。
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