[發明專利]濺鍍裝置無效
| 申請號: | 201010197169.2 | 申請日: | 2010-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN102277559A | 公開(公告)日: | 2011-12-14 |
| 發明(設計)人: | 王仲培 | 申請(專利權)人: | 鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種濺鍍裝置,尤其涉及一種非平衡式的磁控濺鍍裝置。
背景技術
隨著各種電子產品的普及應用,消費者的要求越來越高,除要求滿足使用功能外,消費者對電子產品的外觀、觸摸質感等也有了新的要求。比如,要求產品外殼具有絢麗的色彩、金屬質感、耐磨損等。
利用反應式磁控濺射鍍膜法對產品外殼進行鍍膜加工,可使電子產品獲得具有各種色彩的、高金屬質感的多層膜外殼,滿足目前消費者的需求。
但是,隨著外型的不斷變化,產品的幾何形狀變得日趨復雜,使得鍍膜的難度也隨之增加。使用傳統的磁控濺鍍裝置進行鍍膜加工時,由于傳統的磁控濺鍍裝置中靠近陰極的區域存在較多的陰極暗區(正電荷濃度較高),離子密度與離子化度較低,不利于提高二次電子的利用率,即不利于利用二次電子與氣體分子碰撞而產生新的電子與離子。由此,既影響維持等離子體區的離子濃度,不易使輝光放電持續不斷,又不利于通過利用二次電子來增加濺射產生的靶材原子撞向鍍膜元件的角度范圍,使得鍍膜元件中的復雜形狀部分,特別是一些突起部的后方部分,易產生鍍膜不充分的現象,影響鍍膜元件的鍍膜質量,造成產品不良率的增加。同時,較低的離子密度與離子化度,也易影響鍍膜的形成速度及膜層的致密性。此外,對于需要鍍制不同顏色的鍍膜元件,傳統的濺鍍裝置需要先鍍制完一種顏色后,再更換不同的靶材,由此,在更換過程易造成靶材受到污染,而影響鍍膜的質量。
發明內容
有鑒于此,有必要提供一種易于實現的、可有效解決現有技術中存在的問題的濺鍍裝置。
一種濺鍍裝置包括一個腔體及一個腔體門。所述腔體的中心位置設有一個工作臺。所述腔體門設置于所述腔體用于開啟或關閉所述腔體。所述腔體門朝向所述工作臺的一側設有兩個第一磁性元件,所述腔體的內壁設置有一個第二磁性元件。所述兩個第一磁性元件與所述第二磁性元件圍繞所述工作臺設置,且所述兩個第一磁性元件朝向所述工作臺的一側分別設有一個第一靶座,所述第二磁性元件朝向所述工作臺的一側設有第二靶座。所述兩個第一磁性元件與所述工作臺的中心的連線形成第一夾角,所述第二磁性元件及與其鄰近的一個所述第一磁性元件與所述工作臺的中心的連線形成第二夾角,所述第二夾角不等于所述第一夾角。
相對于現有技術,本發明的濺鍍裝置具有如下優點:其一,磁性元件非對稱地設置于濺鍍腔體及腔體門上,由此可減少靠近陰極的區域的陰極暗區,提高離子密度與離子化度,獲得較佳的鍍膜形成速度及膜層的致密性。其二,較高的離子化度有利于提高二次電子的利用率,使二次電子與氣體分子碰撞而產生更多新的電子與離子,由此,既有利于維持等離子體區的離子濃度,使輝光放電持續不斷,又有利于增加靶材原子撞向鍍膜元件的角度范圍,有利于鍍膜元件中的復雜形狀部分,特別是一些突起部的后方部分,進行充分地鍍膜,由此,可避免鍍膜不充分的現象,保證鍍膜元件的鍍膜質量,提高產品良率。其三,本發明的濺鍍裝置可以同時設置不同的靶材,對于需要鍍制不同顏色的鍍膜元件,可以連續利用不同靶材進行鍍膜加工,而無需中途更換靶材,避免靶材在更換過程受到污染。此外,本發明的濺鍍裝置可以利用不同靶材同時進行鍍膜加工,由此,可獲得色彩更豐富的鍍膜元件。
附圖說明
圖1是本發明第一實施例提供的濺鍍裝置的示意圖。
圖2是圖1所示的濺鍍裝置沿II-II方向的剖視圖,所述濺鍍裝置包括腔體、腔體門、第一磁性元件及第二磁性元件。
圖3是圖2所示的第一磁性元件及第二磁性元件的分布示意圖。
圖4是圖2所示的第一磁性元件及第二磁性元件的另一種分布示意圖。
圖5是本發明第二實施例提供的濺鍍裝置的示意圖。
主要元件符號說明
腔體????????????10、110
開口????????????11、111
工作臺??????????13、113
鍍膜架??????????15、115
腔體門??????????20、120
第一磁性元件????30、130
第一靶座????????31
第二磁性元件????40、140
第二靶座????????41
濺鍍裝置????????100、200
第一夾角????????a
第二夾角????????b
具體實施方式
下面將結合附圖及實施例對本技術方案作進一步詳細說明。
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