[發(fā)明專利]電子設(shè)備、導(dǎo)電性組合物、金屬填充裝置及電子設(shè)備的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010196897.1
• 申請日: 2010-06-02
• 公開（公告）號: CN101908523A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)根重信;關(guān)根由莉奈;桑名良治;木村龍司
• 申請（專利權(quán)）人: 納普拉有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/485;H01L25/00;H01L21/60;H01B1/02
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣;陳建全

1.一種電子設(shè)備，其是將多個基板層疊而得到的，

所述基板各自包含半導(dǎo)體基板、縱導(dǎo)體、以及環(huán)狀絕緣部，

所述縱導(dǎo)體沿所述半導(dǎo)體基板的厚度方向延伸，

所述環(huán)狀絕緣部包含以玻璃為主要成分的無機(jī)絕緣層，

所述無機(jī)絕緣層被填充在環(huán)狀槽內(nèi)，所述環(huán)狀槽包圍所述縱導(dǎo)體并被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，

所述環(huán)狀絕緣部在所述環(huán)狀槽的內(nèi)壁面具有絕緣層，

所述無機(jī)絕緣層被填充到在所述絕緣層的內(nèi)側(cè)產(chǎn)生的所述環(huán)狀槽內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備，其中，

所述絕緣層是氧化層或者氮化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其中，

所述絕緣層是在所述環(huán)狀槽的內(nèi)表面由所述半導(dǎo)體基板氧化或氮化而成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其中，

所述半導(dǎo)體基板是硅基板，

所述絕緣層是硅氧化層或者硅氮化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，

所述無機(jī)絕緣層含有陶瓷成分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，

所述半導(dǎo)體基板具有半導(dǎo)體元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中，

該電子設(shè)備是三維系統(tǒng)封裝即3D-Sip。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中，

該電子設(shè)備是系統(tǒng)LSI、存儲器LSI、圖像傳感器、或者M(jìn)EMS中的任一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，

所述多個基板中鄰接的基板的各自的連接導(dǎo)體通過接合膜而相互接合，

所述接合膜含有第一金屬或合金成分、以及熔點(diǎn)比所述第一金屬或合金成分高的第二金屬或合金成分，并且熔融溫度比所述第一金屬或合金成分的熔點(diǎn)高。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，

所述多個基板各自具有縱導(dǎo)體和連接導(dǎo)體，

所述多個基板中的鄰接的基板中，一個基板的縱導(dǎo)體與另一個基板的所述連接導(dǎo)體通過所述接合膜接合。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，

所述接合膜通過將所述第二金屬或合金作為核心，并在所述第二金屬或合金的周圍賦予所述第一金屬或合金成分來接合。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，

所述第一金屬或合金成分包含選自由Sn、In、Bi、Ga及Sb構(gòu)成的組中的至少一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，

所述第二金屬或合金成分包含選自由Cr、Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Ni、Ni-P合金以及Ni-B合金構(gòu)成的組中的至少一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，

所述縱導(dǎo)體包含選自由Ga、Sb、Ag、Cu及Ge構(gòu)成的組中的至少一種、以及選自由Sn、In及Bi構(gòu)成的組中的至少一種。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，

在所述接合膜與所述連接導(dǎo)體之間存在貴金屬膜。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其中，

所述貴金屬膜包含選自由Ag、Au、Pd及Pt構(gòu)成的組中的至少一種。

18.一種制造權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備的方法，其包含以下工序：

向鄰接的基板的連接導(dǎo)體之間供給接合材料，所述接合材料包含所述第一金屬或合金成分、以及熔點(diǎn)比所述第一金屬或合金成分高的第二金屬或合金成分，

接著，進(jìn)行熱處理而使所述接合材料熔融。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，

所述縱導(dǎo)體由金屬或合金的熔融凝固體構(gòu)成，至少在與所述基板相面對的區(qū)域具有等軸晶區(qū)域，在所述熔融凝固體中含有作為接種劑的鉍Bi和鎵Ga。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板，其中，

所述導(dǎo)體含有銦In。