[發明專利]半導體器件以及制造所述半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201010196500.9
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN101908525A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 青木武志
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L27/146;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊國權

1.一種半導體器件，包括：

半導體基板；以及

多層配線結構，被布置在所述半導體基板上，

所述多層配線結構包括：

多個第一導電線；

絕緣膜，覆蓋所述多個第一導電線；以及

第二導電線，被布置在所述絕緣膜上，從而與所述多個第一導電線交叉，

其中，所述絕緣膜在所述多個第一導電線與所述第二導電線彼此交叉的多個區域的至少一些區域中具有間隙，以及

所述間隙在沿著所述第二導電線的方向的寬度不大于所述第一導電線的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述間隙在沿著所述第一導電線的方向的寬度不大于所述第二導電線的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述半導體器件包括光電轉換器件，以及

所述半導體基板包括光電轉換器。

4.一種制造半導體器件的方法，該半導體器件具有半導體基板，所述方法包括：

第一步驟，在所述半導體基板之上形成多個第一導電線；

第二步驟，形成絕緣膜，以覆蓋所述多個第一導電線；

第三步驟，在所述絕緣膜中以不大于所述第一導電線的寬度的寬度形成多個溝槽，所述多個溝槽使得所述多個第一導電線的上表面的相應部分露出；

第四步驟，用第一絕緣體填充所述多個溝槽；

第五步驟，在所述絕緣膜和所述第一絕緣體上形成第二導電線，從而與所述多個第一導電線交叉；

第六步驟，在所述第五步驟之后，從各個溝槽移除所述第一絕緣體；以及

第七步驟，用第二絕緣體填充所述多個溝槽的、當在與所述半導體基板的表面垂直的方向觀看時與所述第二導電線不重疊的部分，從而留下在所述多個溝槽中所述多個第一導電線與所述第二導電線彼此交叉的多個區域中的至少一些區域，作為間隙，

其中，所述間隙在沿著所述第二導電線的方向的寬度不大于所述第一導電線的寬度。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，在露出所述第一絕緣體的上表面的、當在與所述半導體基板的表面垂直的方向觀看時不與所述第二導電線重疊的部分時，在第一絕緣體相對于所述絕緣膜和所述第二導電線的蝕刻選擇性變高的條件下，通過執行各向同性蝕刻來從所述多個溝槽移除所述第一絕緣體。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，

所述第五步驟包括以下步驟：

在所述絕緣膜和所述第一絕緣體上形成第二絕緣膜；

在所述第二絕緣膜中形成第二溝槽，以與所述多個第一導電線交叉；以及

用導體填充所述第二溝槽，以形成與所述第二溝槽對應的所述第二導電線，

所述第六步驟包括以下步驟：

在所述第二絕緣膜中形成多個孔，以露出所述第一絕緣體的上表面的、當在與所述半導體基板的表面垂直的方向觀看時不與所述第二導電線重疊的部分；以及

在第一絕緣體相對于所述絕緣膜和所述第二導電線的蝕刻選擇性變高的條件下，通過經由所述多個孔執行各向同性蝕刻來從所述多個溝槽移除所述第一絕緣體，以及

在所述第七步驟中，經由所述多個孔用所述第二絕緣體填充所述多個溝槽。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，

所述半導體器件包括光電轉換器件，以及

所述半導體基板包括光電轉換器。