[發(fā)明專利]具有掩埋位線的半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010194000.1 | 申請(qǐng)日： | 2010-05-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102054820A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹允碩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/532 | 分類號(hào)： | H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 掩埋 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，所述襯底具有溝槽；
掩埋位線，所述掩埋位線形成于所述襯底中并包括金屬硅化物層和金屬層，其中所述金屬硅化物層與所述溝槽的側(cè)壁接觸，所述金屬層形成于所述溝槽的側(cè)壁上并與所述金屬硅化物層接觸。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括：
雜質(zhì)區(qū)，所述雜質(zhì)區(qū)形成于所述襯底中并與所述金屬硅化物層接觸；以及
隔離層，所述隔離層介于除了其中所述金屬硅化物層與所述金屬層彼此接觸的區(qū)域之外的所述金屬層和所述溝槽的表面之間。
3.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其中所述掩埋位線的比電阻低于所述雜質(zhì)區(qū)的比電阻。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述溝槽包括：第一溝槽，所述第一溝槽與其側(cè)壁上的所述金屬硅化物層接觸；以及第二溝槽，所述第二溝槽形成于所述第一溝槽下且寬度小于所述第一溝槽的寬度。
5.如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬層位于所述第一溝槽的側(cè)壁上。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬硅化物層包括選自硅化鈦層、硅化鉭層、硅化鈷層、硅化鎳層和硅化鎢層中的任一種。
7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬層包括：包括金屬基層或金屬氮化物層的單層、或其中堆疊有金屬基層和金屬氮化物層的堆疊層。
8.如權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬基層和所述金屬氮化物層的堆疊層含有選自鈦、鉭、鈷、鎳和鎢中的任一種金屬元素。
9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括：
多個(gè)有源柱，所述有源柱形成于所述襯底上；
柵電極，所述柵電極包圍所述有源柱的外壁；
絕緣層，所述絕緣層填充于所述溝槽中；以及
字線，所述字線沿與所述掩埋位線交叉的方向與柵電極連接。
10.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在襯底中形成金屬硅化物層；
通過(guò)選擇性地蝕刻所述襯底形成第一溝槽，使得所述金屬硅化物層與所述第一溝槽的側(cè)壁接觸；以及
形成包括所述金屬硅化物層和金屬層的掩埋位線，其中所述金屬層形成于所述第一溝槽的側(cè)壁上，并且所述金屬層與所述金屬硅化物層接觸。
11.如權(quán)利要求10的方法，還包括：
在形成所述金屬硅化物層之前，通過(guò)將雜質(zhì)離子注入所述襯底中形成雜質(zhì)區(qū)，使得所述雜質(zhì)區(qū)與所述金屬硅化物層接觸。
12.如權(quán)利要求11的方法，其中所述掩埋位線的比電阻低于所述雜質(zhì)區(qū)的比電阻。
13.如權(quán)利要求10的方法，還包括：
在形成所述金屬層之前，形成隔離層以覆蓋所述第一溝槽的除了與所述金屬硅化物層接觸的所述第一溝槽的側(cè)壁部分之外的表面，以及
在形成所述金屬層之后，通過(guò)蝕刻所述隔離層以及在經(jīng)蝕刻的所述隔離層下的所述襯底的表面形成第二溝槽。
14.如權(quán)利要求10的方法，其中所述金屬硅化物層形成為使得與每個(gè)所述第一溝槽的一個(gè)或者兩個(gè)側(cè)壁接觸。
15.如權(quán)利要求10的方法，其中所述金屬硅化物層由選自硅化鈦層、硅化鉭層、硅化鈷層、硅化鎳層和硅化鎢層中的任一種形成。
16.如權(quán)利要求10的方法，其中所述金屬層由包括金屬基層或金屬氮化物層的單層、或其中堆疊有金屬基層和金屬氮化物層的堆疊層形成。
17.如權(quán)利要求16的方法，其中所述金屬基層和所述金屬氮化物層的堆疊層含有選自鈦、鉭、鈷、鎳和鎢中的任一種金屬元素。
18.如權(quán)利要求10的方法，還包括：
在形成所述掩埋位線之前，在所述襯底上形成多個(gè)有源柱；和
形成分別包圍所述有源柱的外壁的柵電極，和
在形成所述掩埋位線之后，形成絕緣層以填充所述第一溝槽；以及
形成沿與所述掩埋位線交叉的方向與所述柵電極連接的字線。
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