[發明專利]沉積設備及其控制方法

有效

• 申請號: 201010193925.4
• 申請日: 2010-06-01
• 公開（公告）號: CN101906608A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 黃珉婷;車裕敏;趙源錫;樸在穆;樸宰完;安宰弘
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/56;C23C16/44;C23C16/54
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧;薛義丹

本申請參照2009年6月2日在先提交到韓國知識產權局的第10-2009-0048648號的申請，并將該申請包含于此并要求其權益。

技術領域

本發明的方面涉及一種具有多個反應室的沉積設備，以及控制該沉積設備的方法。

背景技術

隨著信息技術新近的快速發展及其市場的擴張，平板顯示器正在取代大型陰極射線管(CRT)顯示裝置。平板顯示器的示例是液晶顯示器、等離子體顯示面板和有機發光二極管顯示器等。

在這些平板顯示器中，有機發光二極管顯示器與傳統的液晶裝置相比具有高響應速度和低功耗，并且質量輕，不需要背光單元。因而可以將有機發光二極管顯示器制成超薄的，同時具有高亮度，因而認為有機發光二極管顯示器是下一代顯示器。

有機發光二極管包括在基板上順序設置的陽極層、有機薄膜層和陰極層。由于電壓施加在陰極層和陽極層之間，所以在有機薄膜層中產生預定的能量差，從而發光。可以根據有機發光二極管的有機材料中的摻雜劑的量來調節產生的光的波長，因而全彩色呈現是可能的。

更具體來講，有機發光二極管具有這樣的結構，即，陽極層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和陰極層順序堆疊在基板上。此外，可以將EML分為紅光EML、綠光EML和藍光EML，并且可以選擇地將空穴阻擋層(HBL)布置在EML和ETL之間。

通過利用例如真空沉積技術、離子鍍技術、濺射技術和化學氣相沉積(CVD)技術等使層形成在基板上。具體來講，使用真空沉積技術來形成有機發光二極管的有機層和陰極層。在真空沉積技術中，基板安裝在真空室中，氣體沉積材料進入該室并在基板的表面上沉積。

用于制造有機發光二極管顯示器的沉積設備包括至少一個群(cluster)結構。群結構包括用于將材料沉積在沉積主體(或基板)上的多個反應室，多個反應室圍繞傳遞沉積主體的傳遞室布置。多個反應室分別包括不同的沉積源，以沉積不同的沉積層。

發明內容

本發明提供了一種包括多個反應室的沉積設備及控制該沉積設備的方法，使得制造工藝更有效且經濟損失更少。

根據本發明的一個方面，提供了一種沉積設備，該沉積設備包括：第一室，在沉積主體上沉積第一沉積材料；第二室，在沉積主體上沉積不同的第二沉積材料；第三室，在沉積主體上沉積第一沉積材料；傳遞室，連接到第一室至第三室，所述傳遞室將沉積主體傳遞到第一室至第三室中的至少一個；控制單元，將沉積主體從傳遞室運輸到第一室至第三室中的至少一個。控制單元選擇地將沉積主體從傳遞室運輸到第一室至第三室中的一個來進行沉積。控制單元順序地將沉積主體從傳遞室運輸到第一室然后運輸到第三室，從而在第一室和第三室中均執行第一沉積材料的沉積。

根據本發明的另一方面，提供了一種沉積設備，該設備包括：多個沉積室，在沉積主體上沉積不同的材料；初級室，設置在與沉積室中的一個沉積室相同的沉積條件下；控制單元，通過將沉積主體傳遞到沉積室中的一個或者初級室中來執行沉積。控制單元通過將沉積主體順序地放入沉積室和初級室中來執行沉積。

根據本發明的另一方面，提供了一種控制沉積設備的方法，該方法包括以下步驟：提供第一室、第二室和第三室；將第三室設置在與第一室相同的沉積條件下；在布置在第一室中的第一沉積主體上沉積第一沉積材料；在布置在第二室中的第一沉積主體上沉積不同的第二沉積材料；在布置在第一室和第三室中的一個中的第二沉積主體上沉積第一沉積材料；在布置在第二室中的第二沉積主體上沉積第二沉積材料。

在調節第一室的沉積條件的同時，在將所述第一沉積材料沉積在所述第二沉積主體上的過程中可將第二沉積主體布置在第三室中。在將第一沉積材料沉積在布置在第一室中的第一沉積主體上的同時，在將所述第一沉積材料沉積在所述第二沉積主體上的過程中可將第二沉積主體布置在第三室中。該方法還可以包括在將第一沉積材料沉積在布置在第一室中的第一沉積主體上之后，在布置在第三室中的第一沉積主體上沉積第一沉積材料的步驟。

附圖說明

當結合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，對本發明更完全的理解以及本發明的許多附屬優點將變得更明顯且將變得更好理解，在附圖中，相同的標號代表相同或相似的組件，其中：

圖1是示出根據本發明實施例的沉積設備的示意圖；

圖2是示出包括在圖1中的沉積設備中的反應室的示意圖；

圖3A和圖3B是示出根據本發明第一實施例的控制沉積設備的方法的流程圖；