[發(fā)明專利]沉積設(shè)備及其控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010193925.4 | 申請日: | 2010-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101906608A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃珉婷;車裕敏;趙源錫;樸在穆;樸宰完;安宰弘 | 申請(專利權(quán))人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/22 | 分類號: | C23C14/22;C23C14/56;C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鴻禧;薛義丹 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 設(shè)備 及其 控制 方法 | ||
1.一種沉積設(shè)備,所述沉積設(shè)備包括:
第一室,在沉積主體上沉積第一沉積材料;
第二室,在沉積主體上沉積不同的第二沉積材料;
第三室,在沉積主體上沉積第一沉積材料;
傳遞室,連接到第一室至第三室,將沉積主體傳遞到第一室至第三室中的至少一個;
控制單元,將沉積主體從傳遞室運(yùn)輸?shù)降谝皇抑恋谌抑械闹辽僖粋€。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備,其中,所述控制單元選擇地將沉積主體從傳遞室運(yùn)輸?shù)降谝皇抑恋谌抑械囊粋€來進(jìn)行沉積。
3.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備,其中,所述控制單元順序地將沉積主體從傳遞室運(yùn)輸?shù)降谝皇胰缓筮\(yùn)輸?shù)降谌遥瑥亩诘谝皇液偷谌抑袌?zhí)行第一沉積材料的沉積。
4.一種沉積設(shè)備,所述沉積設(shè)備包括:
多個沉積室,在沉積主體上沉積不同的材料;
初級室,設(shè)置在與沉積室中的一個沉積室相同的沉積條件下;
控制單元,通過將沉積主體傳遞到沉積室中的一個或者初級室中來執(zhí)行沉積。
5.如權(quán)利要求4所述的沉積設(shè)備,其中,所述控制單元通過將沉積主體順序地放入沉積室和初級室中來執(zhí)行沉積。
6.一種控制沉積設(shè)備的方法,其中,所述方法包括以下步驟:
提供第一室、第二室和第三室;
將第三室設(shè)置在與第一室相同的沉積條件下;
在布置在第一室中的第一沉積主體上沉積第一沉積材料;
在布置在第二室中的第一沉積主體上沉積不同的第二沉積材料;
在布置在第一室和第三室中的一個中的第二沉積主體上沉積第一沉積材料;
在布置在第二室中的第二沉積主體上沉積第二沉積材料。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,在調(diào)節(jié)第一室的沉積條件的同時,在將所述第一沉積材料沉積在所述第二沉積主體上的過程中將第二沉積主體布置在第三室中。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,在將第一沉積材料沉積在布置在第一室中的第一沉積主體上的同時,在將所述第一沉積材料沉積在所述第二沉積主體上的過程中將第二沉積主體布置在第三室中。
9.如權(quán)利要求6所述的方法,所述方法還包括在將第一沉積材料沉積在布置在第一室中的第一沉積主體上之后,在布置在第三室中的第一沉積主體上沉積第一沉積材料的步驟,
其中,將第二沉積主體順序地提供給第一室然后提供給第三室,以執(zhí)行第一沉積材料的沉積。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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