[發明專利]農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法有效
| 申請號: | 201010193714.0 | 申請日: | 2010-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN101857875A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | 李耿光;孫懷娟;王梅珍;李凝 | 申請(專利權)人: | 普羅米綠色能源(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C12N15/82 | 分類號: | C12N15/82;A01H4/00;A01H5/00 |
| 代理公司: | 深圳市維邦知識產權事務所 44269 | 代理人: | 王昌花 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 桿菌 麻風 進行 基因 轉化 方法 | ||
1.農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,包括以下步驟:
(1)制備麻風樹外植體以及農桿菌液,外植體經農桿菌浸染后進行共培養;
(2)共培養后的外植體接入篩選培養基進行培養,從而獲得抗性愈傷組織,所述篩選培養基含有1-3mg/L草胺磷或1-10mg/L潮霉素;
(3)分化出不定芽;以及
(4)生根培養,從而獲得轉基因植株。
2.如權利要求1所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(1)步驟中,共培養所用培養基含有50-200μM乙酰丁酰酮。
3.如權利要求2所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(1)步驟中,共培養采用C13A固體培養基,其含有1.0-3.0mg/L
6-芐基嘌呤,0.25-1.0mg/L?3-吲哚丁酸,以及50-200μM乙酰丁酰酮的MS培養基;麻風樹外植體的制備經由以下工藝:挑選麻風樹種子經消毒后,取出完整的胚和子葉,于MS培養基萌發,獲得子葉,切制成外植體;農桿菌菌液是用C?13A液體培養基重懸浮離心收集的農桿菌體制得。
4.如權利要求3所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(1)步驟中,獲得麻風樹外植體工藝中,接種于MS培養基萌發,是將接好的材料先暗培養2-4天,然后光照培養10-12天,種子萌發的培養條件是,溫度23-26℃,光照12-16小時/天,光照強度1800-2000lx;所述第(1)步驟中,農桿菌菌液的準備、浸染及共培養,進一步包括以下工藝步驟:
(a)挑取農桿菌的單克隆于含有抗生素的YEP液體培養基中,28℃,200rpm震蕩培養20-24小時,然后按照1∶100轉接,震蕩培養至對數生長期,OD600=0.8-1.0,將菌液轉入50ml離心管,常溫,4000rpm離心20分鐘收集菌體,用C13A液體培養基重新懸浮農桿菌,調至OD600=0.3-0.6,28℃震蕩培養1-2個小時,備用;
(b)將切好的葉片放入容器中,加入準備好的菌液,置于搖床慢速震蕩5-15分鐘;以及
(c)取出浸染過的材料,倒掉菌液,將葉片放在濾紙上,吸去多余的菌液,接入C13A固體培養基,置于23-26℃黑暗共培養2-4天。
5.如權利要求1所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(2)步驟的篩選培養基為C13PC培養基,其含有1.0-3.0mg/L?6-芐基嘌呤,0.25-1.0mg/L?3-吲哚丁酸,1-3mg/L草胺磷或1-10mg/L潮霉素,250-500mg/L頭孢噻肟鈉的MS培養基。
6.如權利要求5所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(2)步驟進一步包括以下工藝步驟:
(a)取出共培養后的外植體,放入容器中,加入無菌水洗后,用含250-500mg/L頭孢霉素的無菌水洗;
(b)洗過的外植體放在濾紙上,吸去多余的水,接入篩選培養基C13PC,所述篩選培養基C?13PC是指MS培養基含1.0-3.0mg/L?6-芐基嘌呤,0.25-1.0mg/L
3-吲哚丁酸,1-3mg/L草胺磷或1-10mg/L潮霉素,250-500mg/L頭孢噻肟鈉,2-3%蔗糖,0.7%瓊脂,以及pH5.8-6.0);以及
(c)置于23-26℃暗培養14-21天,獲得抗性愈傷組織。
7.如權利要求1所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(3)步驟,是將獲得的抗性愈傷組織,轉入分化培養基SR13PC進行培養,該分化培養基含1-3mg/L草胺磷或1-10mg/L潮霉素。
8.如權利要求7所述的農桿菌介導對麻風樹進行基因轉化的方法,其特征在于:所述第(3)步驟的分化培養基為SR13PC培養基,是MS培養基含0.25-2.0mg/L?6-芐基嘌呤,0.1-1.0mg/L?3-吲哚丁酸,0.01-0.2mg/L赤霉素,1-3mg/L草胺磷或1-10mg/L潮霉素,250-500mg/L頭孢霉素,20-30g/L蔗糖,7g/L瓊脂,以及pH5.8-6.0;接好的抗性愈傷組織在23-26℃,光照培養10-60天即可得到不定芽,培養條件為,光照12-16小時/天,光照強度1800-2000lx。
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