[發(fā)明專利]制作掩膜版的方法、對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010192865.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-05-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102262352A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/14 | 分類號(hào): | G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制作 掩膜版 方法 布局 圖形 進(jìn)行 光學(xué) 鄰近 修正 | ||
1.一種制作掩膜版的方法,其特征在于,包括:
提供布局圖形;
將所述布局圖形分割成第一布局圖形和第二布局圖形;
在所述第一布局圖形的切割位置形成第一延伸段;
在所述第二布局圖形的切割位置形成第二延伸段;
執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正,獲得第一修正圖形,所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域;
執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正,獲得第二修正圖形,所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域;
將第一修正圖形寫入第一掩膜版;
將第二修正圖形寫入第二掩膜版。
2.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法,其特征在于,所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括:在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第二延伸段的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法,其特征在于,所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括:在所述切割位置第二修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第一延伸段的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法,其特征在于,所述執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正,獲得第一修正圖形包括:
步驟S11,對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行圖形化仿真,獲得仿真圖形;
步驟S12,計(jì)算仿真圖形與第一布局圖形的第一邊緣布置誤差,以及仿真圖形與第二延伸段重疊區(qū)域的第二邊緣布置誤差;
步驟S13,根據(jù)計(jì)算得到的第一、第二邊緣布置誤差,對(duì)第一布局圖形和第一延伸段進(jìn)行進(jìn)行光學(xué)鄰近修正,得到修正后圖形;
步驟S14,對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真,獲得仿真圖形;
步驟S15,判斷步驟S14中獲得的仿真圖形是否包圍第二延伸段所在區(qū)域,若是,將修正后圖形作為第一修正圖形;若否,返回執(zhí)行步驟S12。
5.如權(quán)利要求1所述的制作掩膜版的方法,其特征在于,所述執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正,獲得第二修正圖形包括:
步驟S21,對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行圖形化仿真,獲得仿真圖形;
步驟S22,計(jì)算仿真圖形與第二布局圖形的第三邊緣布置誤差,以及仿真圖形與第一延伸段重疊區(qū)域的第四邊緣布置誤差;
步驟S23,根據(jù)計(jì)算得到的第三、第四邊緣布置誤差,對(duì)第二布局圖形和第二延伸段進(jìn)行光學(xué)鄰近修正,得到修正后圖形;
步驟S24,對(duì)修正后圖形進(jìn)行圖形化仿真,獲得仿真圖形;
步驟S25,判斷步驟S24中獲得的仿真圖形是否包圍第一延伸段所在區(qū)域,若是,將修正后圖形作為第二修正圖形;若否,返回執(zhí)行步驟S22。
6.一種對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法,所述布局圖形被切割成第一布局圖形和第二布局圖形,所述第一布局圖形在切割位置處形成有第一延伸段,所述第二布局圖形在切割位置處形成有第二延伸段;其特征在于,所述方法包括:
執(zhí)行對(duì)第一布局圖形和第一延伸段的光學(xué)鄰近修正,獲得第一修正圖形,所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域;
執(zhí)行對(duì)第二布局圖形和第二延伸段的光學(xué)鄰近修正,獲得第二修正圖形,所述第二修正圖形在圖形化仿真后包圍第一延伸段所在區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括:在所述切割位置第一修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第二延伸段的寬度。
8.如權(quán)利要求6所述的對(duì)布局圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述第一修正圖形在圖形化仿真后包圍第二延伸段所在區(qū)域包括:在所述切割位置第二修正圖形在圖形化仿真后的寬度等于第一延伸段的寬度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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