[發明專利]裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201010192817.5
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN102157662A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 黃信杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

技術領域

本發明涉及集成電路，且特別涉及包括具有基板穿孔插銷連接情形(through-substrate?via?connections)的發光裝置(light-emitting?device，LED)的一種集成電路。

背景技術

近年來，如發光二極管(light-emitting?diode)、激光二極管(laser?diodes)與紫外光光檢測器(UV?photo-detector)的光學裝置的使用已為頻繁。如氮化鎵(GaN)、GaAsP、GaPN、AlInGaAs、GaAsPN、AlGaAs及其合金等III族或V族的化合物材料已證實為適用于上述光學裝置的使用。III族或V族的化合物材料的較大能隙(bandgap)與高電子飽和速率亦使得其成為高溫與高速的電源電子裝置應用中的極佳選擇。

由于于一般成長溫度下的氮的高平衡壓力，因此并不容易得到GaN材質的塊狀結晶物。如此，GaN膜層與各別的發光二極管通常形成于符合GaN特性的其他基板上。藍寶石(sapphire，Al₂O₃)為常用的基板材料。然而，經觀察，藍寶石具有低的熱傳導率(thermal?conductivity)。如此，由發光二極管所產生的熱能無法有效地通過藍寶石基板而逸散。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種裝置及其制造方法，以解決上述實施例。

依據一實施例，本發明利用多重基板穿孔插銷以電性連接形成于基板上的發光二極管。一第一基板穿孔插銷自基板的一后側至一前側而延伸穿透基板，且包括電性連結于發光二極管的一第一覆蓋層的一第一基板穿孔插銷導體。一第二基板穿孔插銷自基板的一后側至第一覆蓋層或一透明導電層而延伸穿透基板與發光二極管的一有源層。第二基板穿孔插銷包括電性隔離于一第二基板穿孔插銷導體與第一覆蓋層及有源層的一隔離層。此外，可形成假基板穿孔插銷，以選擇性地傳導來自于發光二極管的熱通過一封裝基板。假基板穿孔插銷可與第一基板穿孔插銷或第二基板穿孔插銷同時形成?？筛纬梢粴W姆接觸層以較均勻地分布用于開啟發光二極管的一電流。于歐姆接觸層上可更形成透明導電層。于基板上可形成有一反射物，反射物內形成有開口以提供第一基板穿孔插銷、第二基板穿孔插銷與假基板穿孔插銷的空間。

依據一實施例，本發明提供了一種裝置，包括：

一發光二極管，位于該基板上，其中該發光二極管包括一第一覆蓋層、位于該第一覆蓋層上的一有源層以及位于該有源層上的一第二覆蓋層；一第一基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該基板的該前表面，該第一基板穿孔插銷包括了一第一基板穿孔插銷導體；以及一第二基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該第二覆蓋層，該第二基板穿孔插銷包括了一第二基板穿孔插銷導體與一隔離層，而該隔離層電性隔離了于該第二基板穿孔插銷內的第二基板穿孔插銷導體與該基板、該第一覆蓋層與該有源層。

依據另一實施例，本發明提供了一種裝置，包括：

一基板，包括一第一側與相對于該第一側的一第二側；一發光二極管，位于該基板上，其中該發光二極管包括位于該基板上的經第一導電特性的一第一雜質所摻雜的一第一III-V族化合物層、位于該第一III-V族化合物層上的一有源層以及位于該有源層上的經第二導電特性的一第二雜質所摻雜的一第二III-V族化合物層；一第一基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第一III-V族化合物層，該第一基板穿孔插銷包括一第一基板穿孔插銷導體；以及一第二基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第二III-V族化合物層，該第二基板穿孔插銷包括一第二基板穿孔插銷導體與環繞該第二基板穿孔插銷導體的一隔離層，其中該第一基板穿孔插銷與第二基板穿孔插銷用于接受開啟該發光二極管以發出光線的電壓。

依據又一實施例，本發明提供了一種裝置，包括：

一基板；一發光二極管裝置，位于該基板上；一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷，貫穿該基板并延伸與停止于一有源層的相對側，其中該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷用于傳輸一電壓至該發光二極管；一第一假基板穿孔插銷，貫穿該基板；以及一封裝基板，結合于該基板上，其中該封裝基板包括一第三基板穿孔插銷與一第四基板穿孔插銷，分別電性耦接于該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷，以及一假接墊，電性耦接于該第一假基板穿孔插銷。

依據另一實施例，本發明提供了一種裝置的制造方法，包括：