[發明專利]裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201010192817.5
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN102157662A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 黃信杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種裝置，包括：

一基板，包括一前表面與一后表面；

一發光裝置，位于該基板上，其中該發光裝置包括：

一第一覆蓋層；

一有源層，位于該第一覆蓋層上；以及

一第二覆蓋層，位于該有源層上；

一第一基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該基板的該前表面，該第一基板穿孔插銷包括了一第一基板穿孔插銷導體；以及

一第二基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該第二覆蓋層，該第二基板穿孔插銷包括了一第二基板穿孔插銷導體與一隔離層，而該隔離層電性隔離了于該第二基板穿孔插銷內的第二基板穿孔插銷導體與該基板、該第一覆蓋層與該有源層。

2.如權利要求1所述的裝置，其中該第二基板穿孔插銷至少部分穿透該第二覆蓋層，而位于該第一基板穿孔插銷內的該第一基板穿孔插銷導體電性接觸了第一覆蓋層但未電性耦接于該有源層。

3.一種裝置，包括：

一基板，包括一第一側與相對于該第一側的一第二側；

一發光裝置，位于該基板上，其中該發光裝置包括：

經第一導電特性的一第一雜質所摻雜的一第一III-V族化合物層，位于該基板上；

一有源層，位于該第一III-V族化合物層上；以及

經第二導電特性的一第二雜質所摻雜的一第二III-V族化合物層，位于該有源層上；

一第一基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第一III-V族化合物層，該第一基板穿孔插銷包括一第一基板穿孔插銷導體；以及

一第二基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第二III-V族化合物層，該第二基板穿孔插銷包括一第二基板穿孔插銷導體與環繞該第二基板穿孔插銷導體的一隔離層，其中該第一基板穿孔插銷與第二基板穿孔插銷用于接受開啟該發光裝置以發出光線的電壓。

4.如權利要求1或3所述的裝置，還包括多個假基板穿孔插銷，位于該基板內。

5.如權利要求3所述的裝置，還包括一封裝基板，連結于該發光裝置之上。

6.如權利要求1或3所述的裝置，其中該第一基板穿孔插銷還包括分隔該第一基板穿孔插銷與該基板的一隔離層。

7.一種裝置，包括：

一基板；

一發光裝置，位于該基板上；

一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷，貫穿該基板并延伸與停止于一有源層的相對側，其中該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷用于傳輸一電壓至該發光裝置；

一第一假基板穿孔插銷，貫穿該基板；以及

一封裝基板，結合于該基板上，其中該封裝基板包括：

一第三基板穿孔插銷與一第四基板穿孔插銷，分別電性耦接于該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷；以及

一假接墊，電性耦接于該第一假基板穿孔插銷。

8.如權利要求7所述的裝置，其中該封裝基板還包括位于該封裝基板內的一第二假基板穿孔插銷并通過一假接墊而電性耦接于該第一假基板穿孔插銷。

9.一種裝置的形成方法，包括：

提供一基板；

形成一發光裝置，包括：

形成一第一覆蓋層于該基板上；

形成一有源層于該第一覆蓋層上；

形成一第二覆蓋層于該有源層上；

形成一第一開口，延伸至該第一覆蓋層；

形成一第二開口，至少延伸至該第二覆蓋層；

于該第一開口與第二開口內填入一周圍隔離層；

移除該第一開口內的該周圍隔離層的一底部；

移除該第二開口內的該周圍隔離層的一底部；以及

于該第一與第二開口內填入導電材料，以分別形成一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷。

10.如權利要求9所述的裝置的形成方法，其中形成該第一開口的步驟早于形成該第一覆蓋層的步驟，而形成該第二開口的步驟晚于形成該有源層的步驟。

11.如權利要求9所述的裝置的形成方法，其中形成該第一基板穿孔插銷或形成該第二基板穿孔插銷的步驟施行時，同時形成多個假基板穿孔插銷。

12.如權利要求9所述的裝置的形成方法，其中該第一基板穿孔不接觸該有源層。