[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201010192517.7
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102270575A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 沈滿華;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上依次形成柵極介質層、多晶硅層和刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成圖案化硬掩膜層；

以圖案化硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述刻蝕停止層形成圖案化刻蝕停止層；

以圖案化硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層和柵極介質層形成柵極，所述柵極包括圖案化柵極介質層和圖案化多晶硅層；

在所述柵極側壁和半導體襯底表面形成保護層；

利用干法刻蝕方式去除所述圖案化硬掩膜層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述保護層的材質為二氧化硅。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述保護層的厚度為10～

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述保護層是利用退火工藝形成。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度為600～900℃，所述退火工藝使用的反應氣體為O₂和N₂的混合物，所述反應氣體中O₂的流量為50～1000sccm，所述反應氣體中N₂的流量為50～1000sccm。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述圖案化硬掩膜層的材質為氮化硅或氮氧化硅。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質為二氧化硅。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的厚度為10～

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，去除所述圖案化硬掩膜層使用的刻蝕氣體為CH₃F和O₂的混合物，所述刻蝕氣體中CH₃F的流量為50～500sccm，所述刻蝕氣體中O₂的流量為10～500sccm。