[發明專利]通孔的形成方法有效
| 申請號： | 201010192346.8 | 申請日： | 2010-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN102270600A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 黃敬勇;王新鵬;韓秋華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種通孔的形成方法，包括：
在半導體襯底上依次形成絕緣介質層和圖案化光刻膠層；
以光刻膠層為掩膜，刻蝕絕緣介質層，形成通孔；
其特征在于，刻蝕絕緣介質層過程中，向刻蝕腔室內通入氧氣的流量隨時間的變化不斷減小，使通孔的尺寸達到目標尺寸。
2.根據權利要求1所述通孔的形成方法，其特征在于，所述氧氣流量隨時間變化的趨勢為0.05SCCM/S～0.5SCCM/S。
3.根據權利要求1所述通孔的形成方法，其特征在于，所述刻蝕腔室內壓力為10mt～50mt，射頻功率為1000W～3000W，偏壓為1000V～4000V。
4.根據權利要求1所述通孔的形成方法，其特征在于，絕緣介質層的材料是含硅氧化物，厚度為2500埃～4000埃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
