[發明專利]摻鉺氟化釓鋰晶體及其生長方法無效
| 申請號： | 201010192338.3 | 申請日： | 2010-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN101864595A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發明（設計）人： | 劉景和;李春;曾繁明;張學建;張瑩;林海;金銀鎖;秦杰明;董仲偉;董國飛 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B15/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 長春科宇專利代理有限責任公司 22001 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氟化 晶體 及其 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻鉺氟化釓鋰晶體，屬于四方晶系，以稀土鉺為激活離子，其特征在于，所述摻鉺氟化釓鋰晶體分子式為Er:LiGdF4，晶體基質為氟化釓鋰。
2.根據權利要求1所述的摻鉺氟化釓鋰晶體，其特征在于，鉺的摻入濃度為20～50at.％。
3.一種摻鉺氟化釓鋰晶體生長方法，其步驟包括生長料制備、晶體生長以及退火，其特征在于，LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8過量加入；晶體生長工藝參數確定為提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋轉速度：3～10rpm，生長溫度：745～755℃。
4.根據權利要求3所述的摻鉺氟化釓鋰晶體生長方法，其特征在于，原料中各組分的配比如下，ErF3為x摩爾、GdF3為(1-x)摩爾，LiF為2.125(1-x)摩爾，其中x的取值范圍為：0.005mol≤x≤1mol。
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