[發(fā)明專利]吸附檢測(cè)解除方法、處理裝置及計(jì)算機(jī)能讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010191920.8 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101901746A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田中誠(chéng)治;古屋敦城 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸附 檢測(cè) 解除 方法 處理 裝置 計(jì)算 機(jī)能 讀取 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于檢測(cè)玻璃基板等基板是否吸附在載置臺(tái)上并解除該吸附的吸附檢測(cè)解除方法、能夠執(zhí)行該吸附檢測(cè)解除方法的處理裝置、以及存儲(chǔ)有使處理裝置執(zhí)行上述吸附檢測(cè)解除方法的程序的、計(jì)算機(jī)能讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)
在制造液晶顯示器時(shí),為了在玻璃基板上形成電元件,可采用干蝕刻裝置等等離子處理裝置。等離子處理裝置包括用于載置基板的載置臺(tái),該載置臺(tái)的表面為了防止等離子體的異常放電而被陽(yáng)極氧化膜等絕緣物包覆。
在由絕緣物包覆的載置臺(tái)上對(duì)作為絕緣物的玻璃基板進(jìn)行等離子處理的情況下,基板、載置臺(tái)表面帶電,兩者有可能互相吸附。在兩者互相吸附時(shí),若為了搬出基板而驅(qū)動(dòng)升降銷,則在吸附力較強(qiáng)的情況下,會(huì)無(wú)法抬起基板而使基板被破壞。
因此,在專利文獻(xiàn)1中記載有這樣的基板處理方法,即,在用升降銷推起基板時(shí),對(duì)與基板對(duì)載置臺(tái)的靜電吸附力相關(guān)的數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測(cè),在靜電吸附力為規(guī)定值以上的情況下,限制升降銷的推起動(dòng)作。
在專利文獻(xiàn)2中還記載有這樣的基板卸下控制方法,即,在靜電吸附力較強(qiáng)的情況下,向基板與載置臺(tái)之間供給導(dǎo)熱氣體,利用升降銷的推起力和導(dǎo)熱氣體的壓力抬起基板。
在專利文獻(xiàn)3中還記載有這樣的試樣脫離方法,即,在成膜或者蝕刻處理之后使試樣脫離試樣保持部的情況下,將氬、氦等氣體均等地付與試樣下表面的大部分部位而作為抬起力施力,之后,照射等離子體而放出積蓄在試樣中的電荷。在殘留吸附力小于氣體壓力的時(shí)刻,試樣脫離試樣保持部。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-260897號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2000-200825號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開平7-130825號(hào)公報(bào)
玻璃基板的薄膜化、大型化正在得到發(fā)展。因此,像專利文獻(xiàn)1、2那樣,在根據(jù)對(duì)升降銷施加的壓力判定靜電吸附力的強(qiáng)度的方式中,無(wú)論基板與載置臺(tái)之間是否作用有靜電吸附力,都會(huì)驅(qū)動(dòng)升降銷,因此,玻璃基板破損的可能性升高。
專利文獻(xiàn)3僅記載試樣的脫離方法,未判定試樣和試樣保持部是否吸附。
另外,專利文獻(xiàn)3所述的脫離方法將氣體壓力提升直到試樣脫離試樣保持部。因此,在試樣為像玻璃基板那樣容易破損的材質(zhì)的情況下,若試樣牢固地吸附于試樣保持部,則試樣有可能在脫離試樣保持部之前破損。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是鑒于上述情況而做成的,其目的在于提供在減小基板破損的可能性的同時(shí)、檢測(cè)基板是否吸附在載置臺(tái)上并解除該吸附的吸附檢測(cè)解除方法、能夠執(zhí)行該吸附檢測(cè)解除方法的處理裝置、以及存儲(chǔ)有能夠使處理裝置執(zhí)行上述吸附檢測(cè)解除方法的程序的、計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。
為了解決上述課題,本發(fā)明的第1形態(tài)的吸附檢測(cè)解除方法在使被處理體脫離用于載置上述被處理體的載置臺(tái)之前檢測(cè)上述被處理體是否吸附在上述載置臺(tái)上,在吸附的情況下解除吸附,其中,包括以下工序:(1)以規(guī)定的吸附判定壓力自上述載置臺(tái)的載置面向上述被處理體的背面供給流體;(2)檢測(cè)從以上述吸附判定壓力開始供給流體起經(jīng)過了規(guī)定的吸附判定時(shí)間時(shí)上述流體的流量;(3)判定在上述(2)工序中檢測(cè)出的上述流體的流量是否為規(guī)定的吸附判定流量以下;(4)根據(jù)上述(3)工序中的判定結(jié)果,在上述流體的流量為上述吸附判定流量以下的情況下,使向上述被處理體的背面供給流體的壓力為比上述吸附判定壓力高的吸附解除壓力。
另外,本發(fā)明的第2形態(tài)的處理裝置包括:載置臺(tái),其用于載置被處理體;升降銷,其能夠從上述載置臺(tái)的載置面上突出或沒入,用于使上述基板在上述載置臺(tái)的載置面上方升降;多個(gè)氣體孔,其設(shè)置在上述載置臺(tái)的載置面上;氣體供給管,其連接于上述多個(gè)氣體孔;氣體供給機(jī)構(gòu),其用于向上述氣體供給管中供給氣體;壓力調(diào)整機(jī)構(gòu),其設(shè)置于上述氣體供給管,用于調(diào)整向上述氣體供給管供給的氣體流量,使得上述氣體供給管內(nèi)的壓力成為設(shè)定好的壓力;控制機(jī)構(gòu),控制上述壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)及上述升降銷中的至少一個(gè),從而執(zhí)行上述第1形態(tài)的吸附檢測(cè)解除方法。
另外,本發(fā)明的第3形態(tài)的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)在計(jì)算機(jī)中工作,存儲(chǔ)有控制處理裝置的控制程序,其中,上述控制程序在被執(zhí)行時(shí)控制上述處理裝置,從而進(jìn)行上述第1形態(tài)的吸附檢測(cè)解除方法。
采用本發(fā)明,能夠提供在減小基板破損的可能性的同時(shí)、檢測(cè)基板是否吸附在載置臺(tái)上并解除該吸附的吸附檢測(cè)解除方法、能夠執(zhí)行該吸附檢測(cè)解除方法的處理裝置、以及存儲(chǔ)有能夠使處理裝置執(zhí)行上述吸附檢測(cè)解除方法的程序的、計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。
附圖說明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
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